Winbond Electronics

Официальный партнер
О производителе

Winbond Electronics Corporation была основана в сентябре 1987 году в Тайване и на сегодня располагает производственными мощностями и центрами в Тайване, Китае, США и Японии.

Гибкая система производства и взаимосвязанные продуктовые линейки позволяют компании удовлетворять разнообразным требованиям заказчиков и увеличивать их количество по всему миру.

Компания Winbond занимается разработкой и производством микросхем памяти в следующих направлениях:

  • Flash память: 

- NOR с параллельным интерфейсом плотностью 32 - 512 Мбит; напряжением 3,3 В

- NOR с последовательным интерфейсом плотностью 512 Кбит - 512 Мбит; напряжениями 2,7 (2,3) – 3,6 В или 1,65 – 1,95 В; тактовой частотой до 104 МГц 

- SLC NAND с параллельным интерфейсом плотностью 1, 2 или 4 Гбит; напряжениями 2,7 – 3,6 В или 1,7 – 1,95 В

- NAND с последовательным SPI интерфейсом плотностью  1 Гбит и 2 Гбит; тактовой частотой до 104 МГц

  • Мобильная DRAM

- Псевдо SRAM (PSRAM) плотностью 32 - 256 Мбит; напряжениями 1,8 или 3,3 В; тактовой частотой до 133 МГц

- SDR SDRAM (LPSDR) малой мощности плотностью 128 - 512 Мбит; напряжением 1,8 В; тактовой частотой 133 МГц или 166 МГц

- DDR SDRAM (LPDDR) малой мощности плотностью 128 Мбит - 1 Гбит; напряжением 1,8 В; тактовой частотой 166 МГц или 200 МГц

- DDR2 SDRAM (LPDDR2) малой мощности плотностью 256 Мбит - 2 Гбит; напряжениями 1,8/1,2 В; тактовой частотой 400 МГц или 533 МГц

  • DRAM

- SDRAM плотностью 16 - 256 Мбит; напряжением 3,3 В; тактовой частотой 133-200 МГц

- DDR SDRAM плотностью 64-256 Мбит; напряжением 2,5 В; тактовой частотой 166-250 МГц

- DDR2 SDRAM плотностью 128 Мбит - 2 Гбит; напряжением 1,8 В; соответствует спецификациям DDR2-667, DDR2-800 и DDR2-1066

- DDR3 SDRAM плотностью 1 Гбит; напряжением 1,5 В; соответствует спецификациям DDR3-1333, DDR3-1600 and DDR3-1866

Winbond имеет сертификаты качества  ECQ, ISO 9001, ISO 14001 и QS 9000.

W25N01GV
pdf, 1.02 МБ
W25Q10EW
pdf, 1.76 МБ
W25Q128FV
pdf, 1.3 МБ
W25Q128FW
pdf, 1.37 МБ
W25Q16CL
pdf, 2.48 МБ
W25Q16DV
pdf, 1.13 МБ
W25Q16DW
pdf, 1.23 МБ
W25Q16JV
pdf, 2.4 МБ
W25Q16JV-DTR
pdf, 2.95 МБ
W25Q20BW
pdf, 1.88 МБ
W25Q20CL
pdf, 1.47 МБ
W25Q20EW
pdf, 1.79 МБ
W25Q256FV
pdf, 1.5 МБ
W25Q257FV
pdf, 1.18 МБ
W25Q32FV
pdf, 959.27 КБ
W25Q40BW
pdf, 2.5 МБ
W25Q40CL
pdf, 1.97 МБ
W25Q40EW
pdf, 1.16 МБ
W25Q64FV
pdf, 1.23 МБ
W25Q64FW
pdf, 1.29 МБ
W25Q80BL
pdf, 2.73 МБ
W25Q80BW
pdf, 1.12 МБ
W25Q80DV
pdf, 2.21 МБ
W25Q80EW
pdf, 1.09 МБ
W25X05CL
pdf, 1.12 МБ
W25X10CL
pdf, 1.06 МБ
W25X20CL
pdf, 1.12 МБ
W25X40CL
pdf, 1.2 МБ
W29GL032C
pdf, 708.05 КБ
W29GL064C
pdf, 894.58 КБ
W29GL128C
pdf, 619.72 КБ
W29GL256P
pdf, 1.02 МБ
W29GL256S
pdf, 2.17 МБ
W29N01GV
pdf, 2.39 МБ
W29N01GW
pdf, 1.91 МБ
W29N01GZ
pdf, 1.91 МБ
W29N01HV
pdf, 1.72 МБ
W29N02GV
pdf, 2.29 МБ
W29N02GW
pdf, 1.68 МБ
W29N02GZ
pdf, 1.68 МБ
Новости
06.07.2017, 11:00
SPI NOR Flash напряжением 1,2 и 1,5 В от Winbond
Компания Winbond Electronics объявила о выпуске низковольтных микросхем NOR Flash памяти семейства W25Q80NE с интерфейсом SPI на 1,2 и 1,5 В. Микросхемы обладают самым низким напряжением для NOR Flash памяти, доступной на рынке.
12.10.2016, 12:45
512 Мбит DDR3 SDRAM с рабочей температурой -40…+105°С от Winbond
Компания Winbond Electronics анонсировала выпуск микросхемы DDR3/3L SDRAM низкой плотности 512 Мбит c тремя вариантами рабочего температурного диапазона, в том числе автомобильным: -40…+105°C. Новой микросхемой Winbond расширяет своё семейство DDR3 SDRAM, которое уже включает…
Все новости