Новости
17.02.2017, 18:15
PI Databook стал доступен из любого веб-браузера
Программа для доступа к документации на продукцию Power Integration PI Databook теперь доступная в любом браузере установленном на компьютере c операционной системой Windows или Mac. Возможности веб-программы идентичны возможностям мобильных приложений для смартфонов на ОС Andriod и iOS,…
17.02.2017, 18:00
Как на ESP32 сделать «умный дом» быстро
Как на ESP32 сделать «умный дом» быстро Хотите научиться делать системы IoT быстро и «чтобы работало»? Тогда посетите наш вебинар.
16.02.2017, 11:30
Высокотемпературные чип-конденсаторы Х8R и Х8G от Walsin
Компания Walsin выпустила серию керамических чип-конденсаторов на основе новых высокотемпературных диэлектриков X8R и Х8G. Конденсаторы серии НТ характеризуются стабильной работой и надежностью в условиях повышенной температуры. Данная серия конденсаторов способна выдерживать рабочие температуры…
15.02.2017, 15:15
IP68 силовые кабельные соединители от TTAF
Компания TTAF выпустила кабельный соединитель со степенью защиты от влаги и пыли IP68, выдерживающий непрерывное воздействие воды в течение 60 минут при глубине погружения до 50 метров – WPI-0302M15/U2. Модель WPI-0302M15/U2 дополнила серию кабельных соединителей GONTVANA. Корпус…
Все новости
GaN-системы высокой производительности – особенности теплового анализа
Сегодня широко востребованы интегральные схемы усилителей, рассчитанные на большую выходную мощность (десятки ватт и выше) и в то же время имеющие относительно малые размеры. Для создания таких устройств подходят структуры нитрида галлия на подложках из карбида кремния (GaN-on-SiC), которые позволяют получить высокую удельную плотность мощности – более 5 Вт на миллиметр затвора транзистора. Для проектирования GaN-систем необходимы модели, корректно описывающие тепловые режимы их работы. В чем специфика теплового моделирования GaN-устройств?
Обучающие материалы