Everspin Technologies

Официальный дистрибьютор
О производителе

Everspin Technologies – ведущий производитель и мировой лидер в области разработок магниторезистивных ОЗУ (MRAM). Энергонезависимая память MRAM уникальна сочетанием в себе таких особенностей, как

  • самое высокое быстродействие,
  • абсолютно неограниченного число рабочих циклов,
  • длительное время сохранения данных (не менее 20 лет),
  • возможность работы как в последовательном, так и в параллельном интерфейсе,
  • и, одновременно с этим, полная энергонезависимость и высочайшие характеристики по надежности и стойкости к магнитным полям.

Исторически, первые чипы 4 Мбит MRAM были выпущены в 2006 году известным производителем полупроводников Freescale Semiconductor. В дальнейшем Freescale выделила весь бизнес технологии MRAM в отдельный компанию Everspin с головным офисом в городе Чандлер (Аризона, США), производствами в Тайланде, Китае, Сингапуре, США и центром разработок в г. Остин (Техас, США)

Everspin – это первый в мире  массовый производитель MRAM памяти. Он и и сегодня остается лидером этой индустрии, не смотря на активные исследования этой технологии такими крупные компании, как Samsung Hynix.

Сегодня MRAM память от Everspin успешно находит свое применение в сферах, требующих гарантированное сохранение информации при любых воздействиях. Это, прежде всего, приборы энергоучета, системы хранения данных, телекоммуникации, промышленная электроника, авионика и автомобильная электроника.

Обучающее видео

Вебинар 21 июня 2016

Ведущий вебинара – Павел Смирнов, специалист компании «Макро Групп» по продукции Everspin.

Обучающие статьи
Новости
11.04.2017, 16:00
UltraScale DRAM контроллер Xilinx получил совместимость с ST-MRAM от Everspin
Компания Everspin Technologies объявила о совместимости своей памяти Spin Torque MRAM (ST-MRAM) и ПЛИС UltraScale компании Xilinx.
18.12.2016, 10:30
Энергонезависимая 1 Гбит DDR4 память ST-MRAM от Everspin Technologies
Компания Everspin Technologies на выставке Electronica 2016 в Мюнхене показала первые образцы микросхемы энергонезависимой памяти ST-MRAM с интерфейсом DDR4 объемом 1 Гбит. Это самый большой объем энергонезависимой памяти с интерфейсом DDR4 из доступных на рынке.
Все новости