Информация

Установка для тестирования SiC MOSFET методом двойного импульса
В статье описывается испытательная установка, предназначенная для тестирования характеристик SiC MOSFET методом двойного импульса.
Изолированный драйвер затвора SiC МОП-транзисторов компании Cree
Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для  самых разных сфер индустрии.