GaN структуры синих лазерных диодов от PAM-Xiamen

21.01.2019, 10:30

Компания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства структур синих лазерных диодов на квантовых точках на основе нитрида галлия (GaN).

GaN структуры синих лазерных диодов от PAM-Xiamen

Синие лазерные диоды имеют различные области применения: создание мощных синих лазерных указок, специальных лазерных модулей, медицинских лазеров, лазерных проекторов.

Характеристики GaN эпитаксиальных структур синих лазерных диодов на квантовых точках:

  • длина волны: 440-460 нм
  • подложка кремниевая Si: диаметр 50,8 ±0,2 мм, толщина 430 ±30 мкм
  • структура слоев, MOCVD метод:
    • контактный слой: GaN p-типа
    • слой сверхрешётки: GaN p-типа
    • слой блокировки электронов: p-AlGaN
    • волноводный слой: нелегированный InGaN
    • QW и QB слой: InGaN и GaN
    • волноводный слой: n-InGaN
    • покрывающий слой: n - AlGaN

Доступны другие параметры длин волн, размеров и эпитаксиальных слоев.

Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции PAM-Xiamen в РФ.

По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783, через форму обратной связи на нашем сайте или пишите по адресу cree@macrogroup.ru.

Упоминаемые производители
Упоминаемые разделы каталога
Обратная связь

Нажимая кнопку "Отправить" вы даёте согласие на обработку персональных данных