Новости

Архив новостей:
16.11.2017, 12:30
Мощные GaN-усилители в корпусах QFN: Работа в непрерывном режиме. Статья.
В разделе «Информация» нашего сайта размещена статья, в которой рассмотрены способы обеспечения необходимого теплового режима GaN-устройств на примере усилителя TGA2307-SM от…
16.11.2017, 12:15
Лаборатория MGLAB.Xilinx теперь и в МИЭТ
22 ноября 2017 года на базе Института микроприборов и систем управления МИЭТ (Зеленоград) при содействии официального партнёра Xilinx в России компании «Макро Групп» состоится открытие седьмой лаборатории MGLAB.Xilinx.
16.11.2017, 12:00
Low Power SRAM 64 Мбит в корпусах TSOP-I и TFBGA от Alliance Memory
Alliance Memory анонсировала выпуск микросхемы Low Power SRAM на 64 Мбит с организацией 4М × 16 бит – AS6C6416-55. Микросхема доступна в двух корпусах – TSOP-I 48-pin габаритами 12×20 мм и 48-ball TFBGA. Появление новой микросхемы является ответом Alliance Memory на…
14.11.2017, 17:30
Высокочастотные планарные трансформаторы 140 и 250 Вт от Pulse Electronics
Компания Pulse Electronics представила 2 серии планарных трансформаторов для аэрокосмического применения и военной техники – PL102XX (140 Вт) и PL103XX (250 Вт). Трансформаторы предназначены для силовых преобразователей мостовой, полумостовой и пушпульной топологии.
03.11.2017, 11:30
Распределенный GaN-усилитель диапазона 1–8 ГГц с использованием трехпортового трансформатора. Статья
В разделе «Информация» нашего сайта размещена статья, в которой описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм. В этом процессе используется 100‑мм SiC‑подложка и компактное…
Страницы: