Семейство SiC MOSFET 1200 В третьего поколения Gen3 от AMG Power
9 октября 2023
Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12 класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением -5/+15 В и напряжением сток-исток 1200 В.
Доступны транзисторы в корпусах для поверхностного и выводного монтажа, а также в бескорпусном варианте, в виде чипов.
| Наименование | ID, А | RDS(ON), мОм | UGS, В | Корпус |
| A3G20N1200MT3 | 20 | 160 | 15 | TO-247-3 |
| A3G20N1200MT4 | 20 | 160 | 15 | TO-247-4 |
| A3G20N1200MT7 | 20 | 160 | 12 | TO-263-7 |
| A3GR160N1200MD88 | 20 | 160 | 12 | DFN8*8 |
| A3G20N1200MB | 20 | 160 | 12 | Чип |
| A3G30N1200MT4 | 30 | 80 | 15 | TO-247-4 |
| A3G100N1200MT3 | 100 | 20 | 15 | TO-247-3 |
| A3G100N1200MT4 | 100 | 20 | 15 | TO-247-4 |
| A3G20N1200MD02 | 100 | 20 | 15 | TOLL |
| A3G100N1200MB | 100 | 20 | 15 | Чип |
Применение SiC MOSFET транзисторов:
- преобразователи собственных нужд электротранспорта
- импульсные источники питания
Преимущества:
- повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
- позволяет работать на высокой частоте переключения
- улучшает плотность мощности на уровне системы
- уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
- удовлетворяют требованиям новых топологий с жёстким переключением (Totem-Pole PFC)
По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783 или через форму «Задать вопрос» на сайте.
