C3M0120090D - SiC MOSFET 900В 22А 120 мОм TO-247

Характеристики транзистора C3M0120090D

V_DS = 900 В

R_DS[on] = 120 мОм

I_Dmax = 15 А (при управляющем напряжении на затворе 15 В и температуре кристалла 100°С )

I_{PULSE max} = 50 А

Корпус TO-247-3

Рабочий диапазон температур – от -55 до +150°С

Тепловое сопротивление кристалл-корпус = 1,3 °С/Вт

Суммарный заряд затвора, необходимый для переключения C3M0120090D < 18 нК

Время включения = 37 нс

Время выключения = 33 нс

Скачать даташит