C3M0120090D - SiC MOSFET 900В 22А 120 мОм TO-247

Характеристики транзистора C3M0120090D

VDS = 900 В

RDS[on] = 120 мОм

IDmax = 15 А (при управляющем напряжении на затворе 15 В и температуре кристалла 100°С )

IPULSE max = 50 А

Корпус TO-247-3

Рабочий диапазон температур – от -55 до +150°С

Тепловое сопротивление кристалл-корпус = 1,3 °С/Вт

Суммарный заряд затвора, необходимый для переключения C3M0120090D < 18 нК

Время включения = 37 нс

Время выключения = 33 нс

Скачать даташит

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители
Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру