Дискретные SiC приборы

Описание
Документация

Компания Wolfspeed производит кристаллы и корпусированные диоды Шоттки и MOSFET-транзисторы с блокирующим напряжением 600В, 1200В, 1700В и выше.

Предлагаются стандартные варианты корпусов: TO-220, TO-247, TO-252/DPAK, QFN.

Преимущества силовых SiC компонентов перед кремниевыми аналогами

  • Более высокая электрическая прочность материала и, соответственно, более высокое блокирующее напряжение
  • Суммарные потери значительно меньше. Требуется охлаждение меньших габаритов
  • Более высокое быстродействие. Возможность заменить сложные схемы на единственный ключ или диод
  • Более высокая допустимая рабочая температура
  • Более высокая радиационная стойкость. Вместе с допустимой температурой радстойкость позволяет применять SiC-приборы в более ответственных применениях с температурами +200ºС и выше


Продукция
НаименованиеПроизводительЦена мелкий опт, USD.Цена опт, USD.Наличие, шт.
C2M0025120DWolfspeed175,758166,508заказ
C2M0040120DWolfspeed92,99388,098заказ
C4D20120DWolfspeed40,10937,998заказ
C3M0065100KWolfspeed39,88037,781заказ
C3M0065090JWolfspeed31,15329,513заказ
C3M0120100KWolfspeed25,57724,231заказ
C2M0160120DWolfspeed23,32222,094заказ
C3D20060DWolfspeed22,25521,084заказ
C3M0120090JWolfspeed21,48020,349заказ
C4D10120DWolfspeed20,67319,585заказ
C2M1000170DWolfspeed18,61917,639заказ
C3M0075120KWolfspeed17,10016,200заказ
C3D16065AWolfspeed15,39414,584заказ
C3D12065AWolfspeed11,75811,139заказ
C4D05120AWolfspeed10,3039,761заказ
C3D10065IWolfspeed3,8993,68328
C3D10060AWolfspeed2,9552,79034
C3D02060AWolfspeed2,7152,572заказ
C3D06060AWolfspeed1,7761,67726
C3D04060AWolfspeed1,1791,11340
Производители
Новости
11.12.2017, 11:00
SiC диод Шоттки 650 В 16 A в корпусе TO-220-2 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (входит в CREE) выпустила SiC диод Шоттки с запирающим напряжением 650 В и током 16А в корпусе TO-220-2 – C3D16065A.
20.11.2017, 15:00
SiC-МОП транзистор 1200 В 75 мОм в корпусе TO-263-7 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор с запирающим напряжением 1200 В, сопротивлением открытого канала 75 мОм и максимальным током 30 А. Транзистор C3M0075120J выпускается в корпусе TO-263-7 и оснащен кельвиновскоим выводом (Pin 2) для управления драйвером на высоких частотах.
04.05.2017, 18:30
SiC-МОП транзистор 1000 В 65 мОм в корпусе TO-263-7 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed выпустила SiC-МОП транзистор со значением пробивного напряжения 1000 В и сопротивлением открытого канала 65 мОм в корпусе TO-263-7 – C3M0065100J.
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру