Дискретные SiC приборы

Силовые приборы на основе карбида кремния SiC

Компания Wolfspeed производит кристаллы и корпусированные диоды Шоттки и MOSFET-транзисторы с блокирующим напряжением 600В, 1200В, 1700В и выше.

Предлагаются стандартные варианты корпусов: TO-220, TO-247, TO-252/DPAK, QFN.

Преимущества силовых SiC компонентов перед кремниевыми аналогами

  • Более высокая электрическая прочность материала и, соответственно, более высокое блокирующее напряжение
  • Суммарные потери значительно меньше. Требуется охлаждение меньших габаритов
  • Более высокое быстродействие. Возможность заменить сложные схемы на единственный ключ или диод
  • Более высокая допустимая рабочая температура
  • Более высокая радиационная стойкость. Вместе с допустимой температурой радстойкость позволяет применять SiC-приборы в более ответственных применениях с температурами +200ºС и выше

Скчать каталог силовых SiС приборов Wolfspeed (A Cree Company)


Продукция
НаименованиеПроизводительЦена мелкий опт, USD.Цена опт, USD.Наличие, шт.
CAS120M12BM2Wolfspeed405,530383,00020
CRD-001Wolfspeed37,06635,0071
C3D10065IWolfspeed3,5323,33628
C3D10060AWolfspeed2,6762,52734
C3D06060AWolfspeed1,6081,51926
C3D04060AWolfspeed1,0681,00840
Производители
Обучающее видео
Новости
21.08.2019, 10:15
SiC-МОП транзистор 1200 В 21 мОм от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 21 мОм, 100А в корпусе TO-247-4 – C3M0021120K.
06.03.2019, 19:15
SiC-МОП транзистор 1200 В 75 мОм теперь в корпусе TO-247-3 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 75 мОм, 30 А в корпусе TO-247-3. C3M0075120D дополняет линейку транзисторов 1200 В 75 мОм.
21.12.2018, 09:45
Драйвер затвора для 3-го поколения SiC MOSFET от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила драйвер для 3-го поколения (C3MTM ) SiC МОП-транзисторов – CGD15SG00D2.
Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных