Дискретные SiC приборы

Описание
Документация

Компания Wolfspeed производит кристаллы и корпусированные диоды Шоттки и MOSFET-транзисторы с блокирующим напряжением 600В, 1200В, 1700В и выше.

Предлагаются стандартные варианты корпусов: TO-220, TO-247, TO-252/DPAK, QFN.

Преимущества силовых SiC компонентов перед кремниевыми аналогами

  • Более высокая электрическая прочность материала и, соответственно, более высокое блокирующее напряжение
  • Суммарные потери значительно меньше. Требуется охлаждение меньших габаритов
  • Более высокое быстродействие. Возможность заменить сложные схемы на единственный ключ или диод
  • Более высокая допустимая рабочая температура
  • Более высокая радиационная стойкость. Вместе с допустимой температурой радстойкость позволяет применять SiC-приборы в более ответственных применениях с температурами +200ºС и выше


Продукция
НаименованиеПроизводительЦена мелкий опт, USD.Цена опт, USD.Наличие, шт.
CAS120M12BM2Wolfspeed405,530383,00020
CRD-001Wolfspeed37,06635,0071
C3D10065IWolfspeed3,5323,33628
C3D10060AWolfspeed2,6762,52734
C3D06060AWolfspeed1,6081,51926
C3D04060AWolfspeed1,0681,00840
Производители
Обучающее видео
Новости
07.03.2018, 10:45
SiC диод Шоттки 650 В 30 A в корпусе TO-247-3 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (дочерняя компания CREE) выпустила SiC диод Шоттки 650 В, 30А в корпусе TO-247-3 – C3D30065D.
11.12.2017, 11:00
SiC диод Шоттки 650 В 16 A в корпусе TO-220-2 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (входит в CREE) выпустила SiC диод Шоттки с запирающим напряжением 650 В и током 16А в корпусе TO-220-2 – C3D16065A.
20.11.2017, 15:00
SiC-МОП транзистор 1200 В 75 мОм в корпусе TO-263-7 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор с запирающим напряжением 1200 В, сопротивлением открытого канала 75 мОм и максимальным током 30 А.