Дискретные SiC приборы

Силовые приборы на основе карбида кремния SiC

Компания Wolfspeed производит кристаллы и корпусированные диоды Шоттки и MOSFET-транзисторы с блокирующим напряжением 600В, 1200В, 1700В и выше.

Предлагаются стандартные варианты корпусов: TO-220, TO-247, TO-252/DPAK, QFN.

Преимущества силовых SiC компонентов перед кремниевыми аналогами

  • Более высокая электрическая прочность материала и, соответственно, более высокое блокирующее напряжение
  • Суммарные потери значительно меньше. Требуется охлаждение меньших габаритов
  • Более высокое быстродействие. Возможность заменить сложные схемы на единственный ключ или диод
  • Более высокая допустимая рабочая температура
  • Более высокая радиационная стойкость. Вместе с допустимой температурой радстойкость позволяет применять SiC-приборы в более ответственных применениях с температурами +200ºС и выше

Скчать каталог силовых SiС приборов Wolfspeed (A Cree Company)


Продукция
НаименованиеПроизводительЦена мелкий опт, USD.Цена опт, USD.Наличие, шт.
C3D04060AWolfspeed (A Cree Company)заказ
C3D06060AWolfspeed (A Cree Company)заказ
C3D10060AWolfspeed (A Cree Company)заказ
C3D10065IWolfspeed (A Cree Company)заказ
CAS120M12BM2Wolfspeed (A Cree Company)заказ
CRD-001Wolfspeed (A Cree Company)заказ
Производители
Обучающее видео
Новости
05.05.2020, 00:30
Семейство SiC-MOSFET на 650 В третьего поколения от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (Cree) выпустила семейство SiC-МОП транзисторов на напряжение 650 В третьего поколения C3M.
30.03.2020, 10:30
SiC силовой модуль 1200 В 425 А 6,7 нГн от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила  SiC силовой модуль 1200 В 425 А в новом корпусе XM3 с индуктивностью 6,7 нГн – CAB425M12XM3.
22.11.2019, 17:45
SiC силовой модуль 1200 В 400 А 6,7 нГн от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (A Cree Company) расширила линейку низкоиндуктивных SiC силовых модулей на платформе XM3, выпустив  новый SiC модуль 1200 В 400 А 6,7 нГн – CAB400M12XM3.
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру