SiC диоды Шоттки

Описание

Технические характеристики

Документация

Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 1200 В (CSD05120 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт.

Продукция

Наименование	Производитель	Цена мелкий опт, USD.	Цена опт, USD.	Наличие, шт.
C4D20120D	Wolfspeed	35,703	33,824	заказ
C3D30065D	Wolfspeed	33,071	31,331	заказ
C4D10120D	Wolfspeed	18,101	17,148	заказ
C3D16065A	Wolfspeed	17,873	16,932	заказ
C4D05120A	Wolfspeed	13,840	13,111	заказ
C3D12065A	Wolfspeed	9,764	9,250	заказ
C3D10065I	Wolfspeed	3,767	3,557	28
C3D10060A	Wolfspeed	2,854	2,695	34
C3D02060A	Wolfspeed	2,377	2,252	заказ
C3D06060A	Wolfspeed	1,715	1,620	26
C3D04060A	Wolfspeed	1,139	1,075	40

Партномер	Параметры	Корпус
CSD01060E	1A, 600V	TO-252-2
C3D02060A	ZRec^TM 2A, 600V	TO-220-2
C3D04060A	ZRec^TM 4A, 600V	TO-220-2
C3D06060A	ZRec^TM 6A, 600V	TO-220-2
C3D10060A	ZRec^TM 10A, 600V	TO-220-2
C3D16060D	ZRec^TM 2x8A, 600V	TO-247-3
C3D20060D	ZRec^TM 2x10A, 600V	TO-247-3
C3D10065I	ZRecTM 10A, 650V диод Шоттки с керамическим резонатором	TO-220-2 Isolated
C4D02120A	ZRec^TM 2A 1200V	TO-220-2
C4D05120A	ZRec^TM 5A 1200V	TO-220-2
C4D20120D	ZRec^TM 2x10A 1200V	TO-247-3
C4D10120D	ZRec^TM 10A 1200V	TO-247-3

Второе поколение SiC MOSFET

pdf, 199.69 КБ

Выбор карбидокремниевых диодов Шоттки

pdf, 714.19 КБ

Новая технология SiC MOSFET и новые возможности

pdf, 816.75 КБ

Оптроны для управления затвором карбид-кремниевых MOSFET

pdf, 455.28 КБ

Производители

Сопутствующие товары