Wolfspeed (Cree) SiC MOSFET

Описание
Технические характеристики
Документация

Серия карбидокремниевых (SiC) транзисторов Z-FET™ MOSFET — силовые транзисторы 2-го поколения фирмы Wolfspeed. Они отлично подходят для использования в инверторах, статических преобразователях, в корректорах коэффициента мощности (ККМ), в управлении электроприводами. По своим характеристикам они превосходят существующие IGBT транзисторы на кремнии. Это позволяет уменьшить общий набор компонентов и размеры схемы устройства.

Например, благодаря низким потерям на переключении и плотности мощности, большей чем у IGBT, транзисторы SiC-MOSFET уже применяются в преобразователях напряжения с солнечных панелей и ветряных генераторов. Технология производства кристаллов SiC развивается, и приборы на карбиде кремния уже внедряются в «классические» силовые устройства.

Кроме того, Wolfspeed стремится производить MOSFET с наименьшим сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)), в том числе при высоких рабочих температурах выше 200ºС. Использование транзисторов и диодов на карбиде кремния в жесктих для электроники условиях — это правильно не только в плане производительности, но и в плане безопасности и работоспособности всего устройства.

Термин Z-FET™ фирмы Wolfspeedозначает нулевой хвостовой ток у данного MOSFET. Помимо этого Wolfspeed производит SiC диоды Шоттки серии Z-Rec™ (с нулевым током обратного восстановления). Использование MOSFET Z-FET™ совместно диодами Шоттки Z-Rec™ позволяет создать надежные и производительные «all-SiC» схемы коммутации высокой мощности. При этом достигаются уровни эффективности, размеры и вес, не достижимые для той же функциональной схемы на кремниевых аналогах.


Продукция
НаименованиеПроизводительЦена мелкий опт, USD.Цена опт, USD.Наличие, шт.
C2M0025120DWolfspeed175,758166,508заказ
C2M0040120DWolfspeed92,99388,098заказ
C3M0065100KWolfspeed39,88037,781заказ
C3M0065090JWolfspeed31,15329,513заказ
C3M0120100KWolfspeed25,57724,231заказ
C2M0160120DWolfspeed23,32222,094заказ
C3M0120090JWolfspeed21,48020,349заказ
C2M1000170DWolfspeed18,61917,639заказ
C3M0075120KWolfspeed17,10016,200заказ
Наименование VDS (макс), В RDS(on), Ом IDS (DC), А IDS (pulse), А VGS (макс), В Корпус

C2M1000170D

1700

1

3

5

-10 ... +25

TO-247-3

C2M1000170J 1700 1 3,6 6 -10 ... +25 TO-263-7 D2PAK

C3M0065090J

900 0,065 22 90 -4 ... +15 TO-263-7 D2PAK
C2M0025120D 1200 0,025 60 90 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0040120D 1200 0,040 40 60 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0080120D 1200 0,080 20 80 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0160120D 1200 0,160 11 45 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0280120D 1200 0,280 6 20 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0045170D 1700 0.045 48 160 -10.....+25 TO-247-3
Производители
Новости
05.09.2016, 13:15
SiC-МОП транзистор 1700 В 45 мОм от Wolfspeed
Компания Wolfspeed выпустила новый SiC-МОП транзистор со значением запирающего напряжения 1700 В и сопротивлением открытого канала 45 мОм – C2M0045170D. Новый МОП-транзистор предназначен для применения в сборках повышающих преобразователей и источниках питания до 1500 В. Транзистор C2M0045170D оптимизирован для высокочастотных применений в области силовой электроники, таких как инверторы возобновляемых источников энергии, системы зарядки
04.08.2014, 10:30
SiC MOSFET для питания светодиодных модулей
Компания Cree анонсировала карбидокремниевый транзистор C2M0280120D для источников питания светодиодных модулей.
Сопутствующие товары