Карбидокремниевые SIC MOSFET транзисторы Cree Z-FET™

Описание
Технические характеристики
Документация
Карбидокремниевые транзисторы SIC MOSFET Cree Z-FET™

Серия карбидокремниевых (SiC) транзисторов Z-FET™ MOSFET — силовые транзисторы 2-го поколения фирмы Wolfspeed. Они отлично подходят для использования в инверторах, статических преобразователях, в корректорах коэффициента мощности (ККМ), в управлении электроприводами. По своим характеристикам они превосходят существующие IGBT транзисторы на кремнии. Это позволяет уменьшить общий набор компонентов и размеры схемы устройства.

Например, благодаря низким потерям на переключении и плотности мощности, большей чем у IGBT, транзисторы SiC-MOSFET уже применяются в преобразователях напряжения с солнечных панелей и ветряных генераторов. Технология производства кристаллов SiC развивается, и приборы на карбиде кремния уже внедряются в «классические» силовые устройства.

Применение SIC MOSFET

Кроме того, Wolfspeed стремится производить MOSFET с наименьшим сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)), в том числе при высоких рабочих температурах выше 200ºС. Использование транзисторов и диодов на карбиде кремния в жестких для электроники условиях — это правильно не только в плане производительности, но и в плане безопасности и работоспособности всего устройства.

Термин Z-FET™ фирмы Wolfspeed означает нулевой хвостовой ток у данного MOSFET. Помимо этого Wolfspeed производит SiC диоды Шоттки серии Z-Rec™ (с нулевым током обратного восстановления). Использование MOSFET Z-FET™ совместно диодами Шоттки Z-Rec™ позволяет создать надежные и производительные «all-SiC» схемы коммутации высокой мощности. При этом достигаются уровни эффективности, размеры и вес, не достижимые для той же функциональной схемы на кремниевых аналогах.


Наименование VDS (макс), В RDS(on), Ом IDS (DC), А IDS (pulse), А VGS (макс), В Корпус

C2M1000170D

1700

1

3

5

-10 ... +25

TO-247-3

C2M1000170J 1700 1 3,6 6 -10 ... +25 TO-263-7 D2PAK

C3M0065090J

900 0,065 22 90 -4 ... +15 TO-263-7 D2PAK
C2M0025120D 1200 0,025 60 90 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0040120D 1200 0,040 40 60 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0080120D 1200 0,080 20 80 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0160120D 1200 0,160 11 45 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0280120D 1200 0,280 6 20 -10.....+25 ТО-247-3
C2M0045170D 1700 0.045 48 160 -10.....+25 TO-247-3
cas120m12bm2.pdf
pdf, 986.83 КБ
cas300m12bm2.pdf
pdf, 1.11 МБ
cas300m17bm2.pdf
pdf, 817.68 КБ
ccs020m12cm2.pdf
pdf, 868.03 КБ
ccs050m12cm2.pdf
pdf, 894.09 КБ
Производители
Новости
23.08.2021, 10:00
Бортовое зарядное устройство электромобилей 6,6 кВт от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (A Cree Company) предлагает референс-дизайн бортового двунаправленного зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на дискретных SiC MOSFET 650 В – CRD-06600FF065N-K.
09.08.2021, 10:30
Драйвер для SiC MOSFET силовых модулей платформы XM3 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed выпустила плату драйвера SiC MOSFET силовых полумостовых модулей 12 класса платформы XM3 – CGD12HBXMP.  
28.05.2021, 15:45
25 кВт преобразователь с активным выпрямителем от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (A Cree Company) выпустила референс-дизайн 25 кВт преобразователя с активным выпрямителем (Active Front End) на основе SiC-МОП 1200 В силовых модулей WolfPack.
Сопутствующие товары
Менеджер направления
Полупроводниковые материалы
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру