Статьи

Архитектура серверов совершенствуется и усложняется

Статья описывает как микрокоаксиальные сборки можно применять в серверном оборудовании, для непосредственного подключения важных высокоскоростных линий от источника до получателя, без использования разводки по печатной плате. Для того чтобы упростить в целом схемотехнику печатных плат сервера.

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree. Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов

Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим.

Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности

В данной статье представлено новое поколение 1200 В/20 А SiC MOSFET, использованных в повышающем преобразователе мощностью 10 кВт, работающем в режиме жесткого переключения с интерливингом на частотах до 100 кГц. Дано сравнение тепловых параметров и эффективности с быстрым кремниевым H3 IGBT. В обоих случаях результаты показывают явное преимущество нового поколения SiC MOSFET.

Вспомогательный источник питания мощностью 60 Вт на силовом SiC-ключе 1700 В

В статье описано как использование предлагаемых транзисторов в качестве классического решения одиночного силового ключа отодвигает границу применения преобразователей по входному напряжению до 1000 В и улучшает их общие характеристики, повышая их КПД, а уменьшенный уровень электромагнитных помех облегчает решение сложных вопросов электромагнитной совместимости.

SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации

В статье подробно описано как замена кремниевых сверхбыстрых (Ultrafast) Si-диодов с плавной характеристикой восстановления позволяет снизить коммутационные потери в диоде на 80% и в IGBT на 50%.