Wolfspeed

Официальный дистрибьютор
О производителе

Wolfspeed (A Cree Company) – лидер по производству полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и силовых приборов на их основе.

Летом 2015 года компания CREE, мировой лидер по производству светоизлучающих, силовых и радиочастотных приборов на основе карбида кремния (SiC), объявила о выделении бизнеса Power & RF в отдельную компанию, входящую в структуру CREE Inc. Новая компания получила название "Wolfspeed, A Cree Company" или просто Wolfspeed.

Основные карбидокремниевые продукты Wolfspeed – это высоковольтные диоды Шоттки и MOSFET-транзисторы 600, 1200, 1700 В и выше, а также силовые модули на SiC-диодах и SiC-MOSFET. Предлагаются как компоненты в стандартных корпусах TO-220, TO-247, TO-252/D2PAK, QFN, так и в виде пластин с кристаллами.

Преимущества по сравнению с кремниевыми аналогами:

  • выше электрическая прочность;
  • суммарные потери значительно меньше;
  • выше быстродействие;
  • выше рабочая температура;
  • выше радиационная стойкость.

SpeedFitбесплатное онлайн-моделирование силовых преобразователей на основе SiC-приборов Wolfspeed. Вы можете выбрать топологию, определить рекомендуемые силовые SiC-приборы или выбрать их самостоятельно из базы данных, определить их термические параметры и способы охлаждения. Моделируя в Speedfit™ Вы определите внешнее сопротивление на затворе и основные параметры пассивных компонентов входящих в контур, сравните результаты, представленные для нескольких различных конфигураций топологии и приборов. Результаты моделирования отображаются в виде краткого отчёта.

 

Wolfspeed активно развивает производство силовых SiC-модулей и на данный момент серийно производит модули на 50, 100 и 300, 325 А. В будущем предполагается замещение IGBT-модулей на кремнии в классических применениях – в инверторах, в источниках питания, в блоках управления электродвигателями и т.д. Целый ряд преимуществ SiC-модулей в определенный момент перевесит разницу в стоимости по сравнению с "обычными" кремниевыми. Применение SiC экономически выгодно в перспективе.

Скачать каталог дискретных SiC приборов и модулей Wolfspeed

Обучающие статьи
Новости
04.05.2017, 18:30
SiC-МОП транзистор 1000 В 65 мОм в корпусе TO-263-7 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed выпустила SiC-МОП транзистор со значением пробивного напряжения 1000 В и сопротивлением открытого канала 65 мОм в корпусе TO-263-7 – C3M0065100J.
26.01.2017, 17:45
SiC диод Шоттки 650 В 12 A в корпусе TO-220-2 от Wolfspeed
Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC диод Шоттки 650 В, 12А в корпусе TO-220-2 C3D12065A Параметры C3D12065A
Все новости