WIN Semiconductors

О производителе

Компания WIN Semiconductors Corp. была основана в 1999 году на о-ве Тайвань. WIN первая освоила и вывела на мировой рынок услугу производства МИС и ВЧ ИС на 6-дюймовых пластинах GaAs. Сейчас стала востребованной и GaN технология.

WIN предлагает производство МИС HBT и pHEMT, а также оптоэлектронных приборов для оптических линий связи и датчиков 3D изображения. Доступна услуга полной разработки и тестирования характеристик прибора по требованиям заказчика.

На данный момент компания серийно использует технологии 0,25 μm E/D pHEMT, 0,15 μm LNA pHEMT, 0,15 μm power pHEMT, 0,1 μm power pHEMT и BiFET pHEMT.

После аутентификации заказчик получает PDK, с помощью которого разрабатывает приборы.

Макро Групп – партнёр WIN Semiconductors в России и оказываем поддержку заказчикам на всех этапах работы по фаундри производству.

Новости
12.07.2018, 14:45
Технология GaAs pHEMT производства СВЧ приборов для большей интеграции на кристалле от WIN Semiconductors
WIN Semiconductors анонсировала освоение технологического процесса GaAs pHEMT – PIH0-03.
Все новости