WIN Semiconductors

О производителе

Компания WIN Semiconductors Corp. была основана в 1999 году на о-ве Тайвань. WIN первая освоила и вывела на мировой рынок услугу производства МИС и ВЧ ИС на 6-дюймовых пластинах GaAs. Сейчас стала востребованной и GaN технология.

WIN предлагает производство МИС HBT и pHEMT, а также оптоэлектронных приборов для оптических линий связи и датчиков 3D изображения. Доступна услуга полной разработки и тестирования характеристик прибора по требованиям заказчика.

На данный момент компания серийно использует технологии 0,25 μm E/D pHEMT, 0,15 μm LNA pHEMT, 0,15 μm power pHEMT, 0,1 μm power pHEMT и BiFET pHEMT.

После аутентификации заказчик получает PDK, с помощью которого разрабатывает приборы.

Макро Групп – партнёр WIN Semiconductors в России и оказываем поддержку заказчикам на всех этапах работы по фаундри производству.

Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Обращаем Ваше внимание! Компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!

Новости
12.07.2018, 14:45
Технология GaAs pHEMT производства СВЧ приборов для большей интеграции на кристалле от WIN Semiconductors
WIN Semiconductors анонсировала освоение технологического процесса GaAs pHEMT – PIH0-03.
Все новости