Подложки из оксида галлия Ga2O3 от PAM-Xiamen

17.05.2022, 15:00

Компания PAM-Xiamen анонсировала запуск производства подложек из монокристаллического полупроводникового оксида галлия бета-формы β-Ga2O3.

Подложки из оксида галлия Ga2O3 от PAM-Xiamen

Оксид галлия (Ga2O3) - полупроводниковый материал четвёртого поколения, который в будущем сможет заменить широкозонные полупроводники третьего поколения – карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). По сравнению с SiC и GaN, β-Ga2O3 имеет ряд преимуществ и потенциально будет использоваться в силовой и ВЧ/СВЧ- электронике.

Оксид галлия (Ga2O3) - полупроводниковый материал, который в будущем сможет заменить карбид кремния (SiC)

Для заказа доступны следующие спецификации монокристаллического полупроводникового β-Ga2O3:

Параметры Спецификация 1 Спецификация 2 Спецификация 3 Спецификация 4 Спецификация 5
Ориентация, град. <010> +/-1 <010> +/-1 <010> +/-1 <100>   +/-1 <-201>   +/-0,7
Размер, мм Ø1″ × 0,35 10 × 10 × 0,35 5 × 5 × 0,35 10 × 10 × 0,7-0,8 10 × 10 × 0,6
Тип проводимости Полуизолирующая, легированная Fe Полуизолирующая, легированная Fe Полуизолирующая, легированная Fe N-type N-type/Sn-doped
Уровень легирования (Fe) ~5E17 (SIMS) ~5E17 (SIMS) ~5E17 (SIMS) - -
Удельное сопротивление, Ом*см - - - <=0,2 -
Качество рабочей стороны Epi-ready, RMS <0,5 нм Epi-ready, RMS <0,5 нм Epi-ready, RMS <0,5 нм Односторонняя полировка, шероховатость <5 А Односторонняя полировка, шероховатость <5 А
Качество обратной стороны Оптическая полировка Оптическая полировка Оптическая полировка - -

Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции PAM-Xiamen в РФ.

По техническим вопросам и заказам обращайтесь по телефону (800) 333-06-05 доб. 783, через форму обратной связи на сайте или пишите по адресу wolfspeed@macrogroup.ru.

Упоминаемые производители
Упоминаемые разделы каталога
Обратная связь

Нажимая кнопку "Отправить" вы даёте согласие на обработку персональных данных

Обращаем Ваше внимание! Компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!