Да
Нет, выбрать свой

Результаты научных разработок позволили компании Denselight Semiconductors выпустить на рынок линейку высоконадёжных и недорогих одномодовых CWDM лазеров с распределённой обратной связью со скоростью 25 Гбит/с, рассчитанных на длины волн 1271/1291/1311/1331 нм и мощностью не менее 6 мВт.

Диоды CWDM лазеров

Лазерные диоды имеют низкий пороговый ток, широкую полосу пропускания, широкий диапазон рабочих температур и доступны в различных вариантах корпусирования, в том числе и без корпуса.

Основные характеристики диодов

Параметр Обозначение Условия Мин. Ср. Макс. Ед. изм.
Пороговый ток Ith 25 °C   9 15 мА
75 °C     25
Оптическая мощность P0 25 °C, Ith+30 mA 6 7   мВт
Центральная длина волны   -5 °C – 75 °C 1264,5 1271 1277,5 нм
1284,5 1291 1297,5
1304,5 1311 1317,5
1324,5 1331 1337,5
Коэффициент подавления боковой моды SMSR Ith+30mA 30 35   дБ
Температурная зависимость длины волны   CW   0,1   нм/°C
Сопротивление R Ith+30 mA   10    
Ширина полосы модуляции (3 дБ) BW 25 °C, 50 mA   20   ГГц
75 °C, 60 mA   16  

Электрические характеристики

Параметр Обозначение Мин. Макс. Ед. изм.
Обратное напряжение VR - 1 В
Прямой ток IF - 100 мА
Рабочая температура Top -5 75 °C
Температура храниения Tstg -40 85 °C
Электростатический разряд VESD - 500 В

Габаритные размеры лазерных диодов

Габаритные размеры диодов

Для получения технической консультации, заказа образцов или лазерных чипов серии DL-DFBXXX06D-25-I от компании Denselight пишите нам через форму «Задать вопрос».

Подписка на новости