Технология GaAs pHEMT производства СВЧ приборов для большей интеграции на кристалле от WIN Semiconductors

12.07.2018, 14:45

WIN Semiconductors анонсировала освоение технологического процесса GaAs pHEMT – PIH0-03. Данная технология объединяет структуру и преимущества монолитных PIN диодов и диодов Шоттки с СВЧ транзисторами миллиметрового диапазона, который является отработанным компанией WIN технологическим процессом PP10, 0,1 мк pHEMT.

Процесс PIH0-03 позволяет плотнее интегрировать функции СВЧ приборов в габаритах одного чипа. Заказчик получает больше возможностей по созданию СВЧ смесителей, переключателей, ограничителей, УМ, МШУ для работы на частотах 100 ГГц и выше.

Приборы, сделанные на фаундри процессе PIH0-03 компании WIN, будут универсальнее для большего числа применений. Современная промышленность требует минимизировтаь размеры и число компонентов, интегрировать больше функций в одном корпусе и снижать энергопотребление.

Структура PIN диода может использоваться для снижения паразитной ёмкости прибора и как встроенный ограничитель мощности перед МШУ в радарных фазированных решётках. Вертикальная структура диода Шоттки наделяет приборы способностью смешивать и детектировать сигналы.

Компания Макро Групп является партнёром WIN Semiconductors в России и оказывает поддержку заказчикам на любом этапе работы по фаундри производству.

Для получения дополнительной информации пришлите запрос на rf@macrogroup.ru, через форму на сайте или позвоните 8 (800) 333-06-05.

Компания WIN Semiconductor является контрактным производителем полупроводников. На данный момент компания серийно использует технологии 0,25 мк E/D pHEMT, 0,15 мк LNA pHEMT, 0,15 мк power pHEMT, 0,1 мк power pHEMT и BiFET pHEMT.

Упоминаемые производители
Упоминаемые разделы каталога
Обратная связь

Нажимая кнопку "Отправить" вы даёте согласие на обработку персональных данных