Разработка и оценка GaN-усилителя L-диапазона для уровня выходной мощности 125 Вт. Статья

31.10.2017, 17:45

В разделе «Информация» нашего сайта размещена статья, в которой рассмотрен вариант достижения высоких выходных характеристик усилителя при использовании недорогого транзистора L-диапазона компании Qorvo. Усилитель оптимизирован для работы в полосе частот 0,96–1,215 ГГц с типичным значением коэффициента усиления в центре полосы 20 дБ, выходной мощности P =–3 дБ 51 дБм (125 Вт) при компрессии 3 дБ и КПД более 70%. В основе разработки — серийно выпускаемый транзистор QPD1008 производства Qorvo, изготовленный по технологии 0,25 мкм GaN HEMT.

Авторы: Энди Дирн (Andy Dearn), Роберт Смит (Robert Smith), Plextek RFI.

Перевод: Георгий Кон, cohn@macrogroup.ru.

Первоначально статья была опубликована в журнале «СВЧ электроника» №2 2017 г.

Упоминаемые производители
Обратная связь
You must have Javascript enabled to use this form.