Распределенный GaN-усилитель диапазона 1–8 ГГц с использованием трехпортового трансформатора. Статья

03.11.2017, 11:30

В разделе «Информация» нашего сайта размещена статья, в которой описана схема и измерение характеристик усилителя мощности диапазона 1–8 ГГц, изготовленного по серийному технологическому процессу GaN 0,15 мкм. В этом процессе используется 100‑мм SiC‑подложка и компактное расположение транзисторов с отдельными сквозными отверстиями для истоков. Топология усилителя допускает неравномерную нагрузку c трехпортовым трансформатором на выходе. Двухкаскадный усилитель обеспечивает выходную мощность 9,3–13,1 Вт в диапазоне 1–8 ГГц с КПД выше 29%.

Авторы:

  • Чарльз Ф. Кэмпбелл(Charles F. Campbell)
  • Майкл Д. Роберг (Michael D. Roberg)
  • Джонатан Файн(Jonathan Fain)
  • Сабьясачи Найяк (Sabyasachi Nayak)

Перевод: Г.В. Кон, George.Cohn@macrogroup.ru.

Первоначально статья была опубликована в журнале «СВЧ-электроника» №3 2017 г.

Обратная связь
You must have Javascript enabled to use this form.