DDR SDRAM на 1 Гбит в корпусе 66-pin TSOP II от Alliance Memory

18.05.2017, 15:00

Производитель Alliance Memory анонсировал высокоскоростную CMOS микросхему DDR SDRAM плотностью 1 Гбит в 66-выводном корпусе TSOP II.

Микросхема AS4C128M8D1-6TIN доступна в индустриальном температурном диапазоне от -40 до +85°C. Благодаря редкой для DDR SDRAM микросхем внутренней конфигурации 128М × 8 (4 банка по 32М × 8), появляется возможность выполнять операцию произвольного доступа с более высокой скоростью, чем у стандартных DRAM.

DDR SDRAM на 1 Гбит в корпусе 66-pin TSOP II от Alliance Memory

Основные характеристики:

  • тактовая частота: 166 МГц
  • работа от одного источника питания: +2,5 В (±0,2 В)
  • конфигурация: 128М × 8
  • индустриальный температурный диапазон: -40 до +85°C
  • корпус: 66-pin TSOP II

Помимо микросхемы на 1 Гбит Alliance Memory предлагает широкую линейку микросхем DDR SDRAM плотностью 64, 128, 256 и 512 Мбит для применения в промышленных, коммуникационных, медицинских изделиях, а также изделиях специального назначения.

Образцы новой микросхемы AS4C128M8D1-6TIN на 1 Гбит DDR SDRAM от Alliance Memory доступны заказчикам на территории России уже сегодня.

Компания «Макро Групп» является официальным поставщиком Alliance Memory. Для заказа образцов и получения технической поддержки пишите на адрес memory@macrogroup.ru, позвоните нам по телефону 8 (800) 333-06-05 доб.775 или отправьте сообщение через форму обратной связи на сайте.

Упоминаемые производители
Упоминаемые разделы каталога