DDR SDRAM на 1 Гбит в корпусе 66-pin TSOP II от Alliance Memory

18.05.2017, 15:00

Производитель Alliance Memory анонсировал высокоскоростную CMOS микросхему DDR SDRAM плотностью 1 Гбит в 66-выводном корпусе TSOP II.

Микросхема AS4C128M8D1-6TIN доступна в индустриальном температурном диапазоне от -40 до +85°C. Благодаря редкой для DDR SDRAM микросхем внутренней конфигурации 128М × 8 (4 банка по 32М × 8), появляется возможность выполнять операцию произвольного доступа с более высокой скоростью, чем у стандартных DRAM.

DDR SDRAM на 1 Гбит в корпусе 66-pin TSOP II от Alliance Memory

Основные характеристики:

  • тактовая частота: 166 МГц
  • работа от одного источника питания: +2,5 В (±0,2 В)
  • конфигурация: 128М × 8
  • индустриальный температурный диапазон: -40 до +85°C
  • корпус: 66-pin TSOP II

Помимо микросхемы на 1 Гбит Alliance Memory предлагает широкую линейку микросхем DDR SDRAM плотностью 64, 128, 256 и 512 Мбит для применения в промышленных, коммуникационных, медицинских изделиях, а также изделиях специального назначения.

Образцы новой микросхемы AS4C128M8D1-6TIN на 1 Гбит DDR SDRAM от Alliance Memory доступны заказчикам на территории России уже сегодня.

Компания «Макро Групп» является официальным поставщиком Alliance Memory. Для заказа образцов и получения технической поддержки пишите на адрес memory@macrogroup.ru, позвоните нам по телефону 8 (800) 333-06-05 доб.775 или отправьте сообщение через форму обратной связи на сайте.

Упоминаемые производители
Обратная связь

Нажимая кнопку "Отправить" вы даёте согласие на обработку персональных данных

You must have JavaScript enabled to use this form.