Магниторезистивная память MRAM компании Everspin Technologies

История компании Everspin Technologies началась 9 июня 2008 г., когда корпорация Freescale объявила о решении создать самостоятельную компанию по производству новейшей на то время магниторезестивной памяти с произвольным доступом — MRAM. Этот тип памяти базируется на квантовых магнитных ячейках, основанных на эффекте Савченко. Технология MRAM сделала шаг вперед относительно всех существующих видов энергонезависимой памяти: в ней для хранения информации используется мангитная поляризация вместо электрического заряда. MRAM могут хранить информацию неограниченное количество лет, имея скорость чтения\записи, сравнимую со специальными быстродействующими модулями SRAM (Fast asynqSRAM). В технологии MRAM применяются маленькие, простые ячейки для получения памяти с большой удельной плотностью хранения информации и низкой стоимостью.

Авторы подробно рассматривают принцип работы MRAM, особенности ее применения, а также отвечают на вопрос, какую выгоду может получить разработчик, выбирающий способ организации хранения данных. В статье приведен обзор линейки устройств MRAM компании Everspin.

Полностью читать статью.

Обратная связь

Нажимая кнопку "Отправить" вы даёте согласие на обработку персональных данных