Магниторезистивная память MRAM компании Everspin Technologies

История компании Everspin Technologies началась 9 июня 2008 г., когда корпорация Freescale объявила о решении создать самостоятельную компанию по производству новейшей на то время магниторезестивной памяти с произвольным доступом — MRAM. Этот тип памяти базируется на квантовых магнитных ячейках, основанных на эффекте Савченко. Технология MRAM сделала шаг вперед относительно всех существующих видов энергонезависимой памяти: в ней для хранения информации используется мангитная поляризация вместо электрического заряда. MRAM могут хранить информацию неограниченное количество лет, имея скорость чтения\записи, сравнимую со специальными быстродействующими модулями SRAM (Fast asynqSRAM). В технологии MRAM применяются маленькие, простые ячейки для получения памяти с большой удельной плотностью хранения информации и низкой стоимостью.

Авторы подробно рассматривают принцип работы MRAM, особенности ее применения, а также отвечают на вопрос, какую выгоду может получить разработчик, выбирающий способ организации хранения данных. В статье приведен обзор линейки устройств MRAM компании Everspin.

Полностью читать статью.

Обратная связь

Нажимая кнопку "Отправить" вы даёте согласие на обработку персональных данных

Обращаем Ваше внимание! Компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!