Память и микроконтроллеры

Микросхемы памяти являются неотъемлемой частью практически всех современных электронных устройств, за исключением тех устройств в основе, которых микроконтроллеры со встроенной внутренней памятью.

Для классификации используется основные функциональные характеристики микросхем: необходимость внешнего источника энергии при сохранении информации, возможность перезаписи информации и способ доступа к данным.

Основные характеристики микросхем памяти

:

  • энергонезависимость, то есть сохранение информации в микросхеме памяти после отключения электропитания;
  • информационная емкость, определяемая максимальным объемом хранимой информации в битах или байтах;
  • организация может быть различной при одном и том же объеме памяти. Например, 65 536 бит могут выглядеть как 4 096х16, или как 8 192х8, или в другом сочетании. Внутренняя организация запоминающей матрицы при этом остается неизменной, изменяется только внешний интерфейс и, соответственно, число внешних выводов;
  • быстродействие, характеризуемое временем выборки информации из запоминающего устройства и временем цикла обращения к запоминающему устройству с произвольным доступом или временем поиска и количеством переданной в единицу времени информации в/из запоминающего устройства с последовательным доступом;
  • энергопотребление, определяемое электрической мощностью, потребляемой микросхемой от источников питания в каждом из режимов работы;
  • напряжение питания. Общая тенденция к снижению напряжения питания привела к появлению микросхем памяти, работающих при 3,3, 2,5 и даже 1,8V;
  • рабочий температурный диапазон, при котором микросхема памяти, ее функционал и физические свойства остаются неизменными и соответствующими заявленным производителем.

К специфическим параметрам микросхем памяти относятся: время хранения (часов, лет), число циклов перезаписи, время стирания и другие.

Производители
Обучающее видео
ОЗУ Alliance Memory
17.04.2017, 14:35
Обучающие статьи
Магниторезистивная память MRAM компании Everspin Technologies
История компании Everspin Technologies началась 9 июня 2008 г., когда корпорация Freescale объявила о решении создать самостоятельную компанию по производству новейшей на то время магниторезестивной памяти с произвольным доступом — MRAM.
Новости
18.05.2017, 15:00
DDR SDRAM на 1 Гбит в корпусе 66-pin TSOP II от Alliance Memory
Производитель Alliance Memory анонсировал высокоскоростную CMOS микросхему DDR SDRAM плотностью 1 Гбит в 66-выводном корпусе TSOP II.
11.04.2017, 16:00
UltraScale DRAM контроллер Xilinx получил совместимость с ST-MRAM от Everspin
Компания Everspin Technologies объявила о совместимости своей памяти Spin Torque MRAM (ST-MRAM) и ПЛИС UltraScale компании Xilinx.
10.04.2017, 18:30
SDRAM на 512 Мбит в корпусе 54-pin TSOP II от Alliance Memory
Производитель Alliance Memory представляет две синхронные DRAM (SDRAM) микросхемы AS4C32M16SB-7TCN и AS4C32M16SB-7TIN на 512 Мбит в 54-выводном корпусе TSOP II. Микросхемы доступны в коммерческом  (от 0 до +70°C) и индустриальном  (от -40 до +85°C) температурных диапазонах.
Менеджер направления
Павел Смирнов
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру