TGA2612-SM - GaAs pHEMT МШУ

TGA2612-SM

TGA2612-SM это корпусированый широкодиапазонный МШУ изготовленный по технологии 0.25 мкм GaN на SiC (TQGaN25).Покрывая диаазон 6-12 ГГц, TGA2612-SM демонстрирует 23 дБм коэффициент усиления, 19 дБм точку копрессии по уроню 1 дБм, коэффициент шума 2дБ. В дополнение к приличным электрическим характеристикам, этот GaN усилитель демонстрирует приличную надежность по входу. МШУ выдерживает 2 Вт входной мощности без деградационных изменений. TGA2612-SM является согласованным МШУ, подходит как для коммерческих, так и для специальных применений.

Для заказа доступны образцы и отладочные наборы.

Технические характеристики

Диапазон частот: 6-12 ГГц

Коэффициент шума: 2 дБ

Коэффициент усиления: 22 дБ

Точка пересечения 3го порядка: 28 дБм

Точка компрессии по уровню 1дБ: 19 дБм

Напряжение: 10 В

Ток: 100мА

Корпус: SMD

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители
Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных
Менеджер направления
Георгий Кон
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру