TGA2612-SM - GaAs pHEMT МШУ

TGA2612-SM это корпусированый широкодиапазонный МШУ изготовленный по технологии 0.25 мкм GaN на SiC (TQGaN25).Покрывая диаазон 6-12 ГГц, TGA2612-SM демонстрирует 23 дБм коэффициент усиления, 19 дБм точку копрессии по уроню 1 дБм, коэффициент шума 2дБ. В дополнение к приличным электрическим характеристикам, этот GaN усилитель демонстрирует приличную надежность по входу. МШУ выдерживает 2 Вт входной мощности без деградационных изменений. TGA2612-SM является согласованным МШУ, подходит как для коммерческих, так и для специальных применений.

Для заказа доступны образцы и отладочные наборы.

Технические характеристики

Диапазон частот: 6-12 ГГц

Коэффициент шума: 2 дБ

Коэффициент усиления: 22 дБ

Точка пересечения 3го порядка: 28 дБм

Точка компрессии по уровню 1дБ: 19 дБм

Напряжение: 10 В

Ток: 100мА

Корпус: SMD