C3M0280090J - SiC MOSFET 900В 11А 280 мОм TO-263-7

C3M0280090J

Характеристики транзистора C3M0280090J

VDS = 900 В

RDS[on] = 280 мОм

IDmax = 7 А (при управляющем напряжении на затворе 15 В и температуре кристалла 100°С )

IPULSE max = 22 А

Корпус TO-263-7 с кельвиновским соединением на истоке

Рабочий диапазон температур – от -55 до +150°С

Тепловое сопротивление кристалл-корпус = 2,5 °С/Вт

Суммарный заряд затвора, необходимый для переключения C3M0280090J < 9,5 нК

Время включения = 17 нс

Время выключения = 15 нс

Скачать даташит

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители