C3M0120090J - SiC MOSFET 900В 22А 120 мОм TO-263-7

C3M0120090J - SiC MOSFET 900В 22А 120 мОм TO-263-7

Характеристики транзистора C3M0120090J

VDS = 900 В

RDS[on] = 120 мОм

IDmax = 14 А (при управляющем напряжении на затворе 15 В и температуре кристалла 100°С )

IPULSE max = 50 А

Корпус TO-263-7 с кельвиновским соединением на истоке

Рабочий диапазон температур – от -55 до +150°С

Тепловое сопротивление кристалл-корпус = 1,5 °С/Вт

Суммарный заряд затвора, необходимый для переключения C3M0120090J < 18 нК

Время включения = 21 нс

Время выключения = 20 нс

Скачать даташит

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Обращаем Ваше внимание компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!



Производители
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру