C2M0280120D - SiC MOSFET 1200В 10А 280 мОм TO-243-3

Описание
Документация

Характеристики транзистора C2M0280120D

VDS = 1200 В

RDS[on] = 280 мОм

IDmax = 6 А (при управляющем напряжении на затворе 20 В и температуре кристалла 100°С)

IPULSE max = 20 А

Корпус TO-247-3

Рабочий диапазон температур – от -55 до +150°С

Тепловое сопротивление кристалл-корпус = 2 °С/Вт

Максимальная рассеиваемая мощность = 62,5 Вт

Суммарный заряд затвора, необходимый для переключения C2M0280120D < 21 нК

Время включения = 14 нс

Время выключения = 22 нс

Скачать даташит

C2M0280120D - даташит
pdf, 816.85 КБ

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Обращаем Ваше внимание! Компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!



Производители
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру