Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
Динамическая оперативная память или dynamic random access memory (DRAM) — это оперативная энергозависимая память с произвольным доступом к считыванию информации. Сегодня память типа DRAM (в различных модификациях) является основным компонентом вычислительной техники благодаря наилучшему соотношению цены и качества.Производительность микросхем динамической памяти во многом зависит от рабочей частоты и тайминга — задержки времени полного доступа (между подачей номеров столбца и строки) и рабочего цикла (между запросом номера столбца и получением данных ячейки). Задержка измеряется в наносекундах или тактах, и чем они меньше, тем более высокая производительность микросхем DRAM.Основными преимуществами динамической памяти являются малая себестоимость и высокая степень упаковки, позволяющая создавать микросхемы большой ёмкости. Недостатки — динамическая память имеет меньшее быстродействие в сравнении со статической, необходимость восстановления заряда конденсатора. В целом же динамический тип оперативной памяти является основным в большинстве современных вычислительных устройств.Синхронная DRAM память (SDRAM)
С момента своего появления микросхемы динамической памяти постоянно совершенствовались, увеличивался их объём и производительность, уменьшались размеры и тайминг. Первым типом памяти, успешно работающим при частоте системной шины от 100 МГц и более (обусловленной выпуском новых процессоров) стала синхронная динамическая память — SDRAM. Её особенностью является синхронная работа с контроллером памяти, обеспечивающая конвейерную обработку информации — возможность отсылать запрос на считывание новой информации до завершения считывания предыдущей для уменьшения тайминга. Усложненный процесс считывания привел к усложнению контроллера, впервые был использован тактовый генератор для синхронизации всех сигналов.
27 июня 2023
Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ.
20 октября 2016

Компания Winbond Electronics анонсировала выпуск микросхемы DDR3/3L SDRAM низкой плотности 512 Мбит c тремя вариантами рабочего температурного диапазона, в том числе автомобильным: -40…+105°C.

Вопрос-ответ