Описание: IGBT диодный модуль 5SLD 1200J330100
Характеристики:
Напряжение VCES (V): 3300
Ток IC (A): 2х1200
Тип: Dual diode
Корпус: HiPak
Модель: XML
Скачать датащит
Обращаем Ваше внимание! Компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!