C3M0060065K

SiC MOSFET 650 В 37 А 60 мОм TO-247-4
C3M0060065K

SiC-МОП транзистор 650 В 60 мОм 37 А в корпусе TO-247-4

планарный, N-канальный

 

Технические характеристики:

  • Напряжение пробоя - 650 В
  • Ток (при 25°C) - 37 A 
  • Rds(On) - 60 мОм 
  • Тип корпуса - TO-247-4 
  • Суммарный заряд затвора - 46 нКл
  • Максимальная температура перехода - 175 °C 
  • Заряд обратного восстановления (Qrr) - 110 нКл 
  • Выходная емкость - 80 пФ 
  • Время обратного восстановления (Trr) - 16 нс

Применение: 

  • Общепромышленные источники питания 
  • Серверное/ телекоммуникационное оборудование
  • Зарядные станции электромобилей / электробусов
  • Системы накопления энергии (СНЭ / ESS)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП / UPS)
  • Системы управления аккомуляторными батареями (BMS)

Особенности

  • Низкое сопртоивление в открытом состонии от температуры
  • Низкие паразитные емкости
  • Быстрый боди-диод с ультранизким обратным восстановлением
  • Высокая рабочая температура (TJ = 175°C)
  • Кельвин-пин 

Преимущества

  • Повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость
  • Позволяет работать на высокой частоте переключения
  • Улучшает плотность мощности на уровне системы
  • Уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение
  • Удовлеторяют требованиям новых топологий с жестким переключением (Totem-Pole PFC)

 

Для более детального знакомства с характеристиками скачайте техническое описание C3M0060065K

Инструмент онлайн-моделирования от Wolfspeed SpeedFit

Драйвер затвора для 3-го поколения (C3MTM) SiC MOSFET CGD15SG00D2

Каталог силовых приоров Wolfspeed (Cree)

 

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Обращаем Ваше внимание! Компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!



Производители
Менеджер направления
Полупроводниковые материалы
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру