Да
Нет, выбрать свой
Выбрано: 0
Показать
Модули на карбидокремниевых кристаллах - это новый класс силовых электронных приборов. По сравнению со стандартными IGBT-модулями на кремнии, у SiC MOSFET модулей есть ряд преимуществ:
  • Более высокая эффективность и производительность
  • Суммарные потери значительно меньше
  • Более высокое быстродействие
  • Более высокая радиационная стойкость
В будущем предполагается замещение традиционных Si IGBT-модулей в классических применениях - в инверторах,источниках питания, блоках управления электродвигателями, возобновляемой энергетике. В настоящее время, SiC MOSFET дали толчок развитию электромобилей, и активно используются в тяговых преобразователях, преобразователях собственных нужд, бортовых зарядных устройствах и зарядных станциях.
Прямое сравнение Si и SiC модулей по току не является корректным, так как требуется учитывать все "параметры" - общие потери модуля, его быстродействие, размер и стоимость системы охлаждения, надёжность модуля в конкретных условиях эксплуатации. Поэтому для сравнения принята условная единица - удельная стоимость киловатта мощности прибора (в долларах за киловатт, $/кВт).
На данный момент SiC MOSFET модули дороже "обычных" IGBT, если сравнивать "в лоб". Однако при комплексной оценке стоимости устройства на его основе видно, что они уже достигли своей экономической состоятельности и могут применяться в реальных изделиях.
06 октября 2015

В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбидокремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.

Вопрос-ответ