GaN структуры синих лазерных диодов

GaN структуры синих лазерных диодов на квантовых точках
InGaN/GaN

GaN структуры синих лазерных диодов на квантовых точках

на длины волн 440 - 460 нм 

Спецификация:

Подложка кремниевая Si

  • Диаметр: 50,8+/-0,2 мм
  • Толщина: 430+/-30 мкм

Структура слоев, MOCVD метод

  • Контактный слой: GaN p-типа
  • Слой сверхрешетки: GaN p-типа
  • Слой блокировки электронов: p-AlGaN
  • Волноводный слой: нелегированный InGaN
  • QW и QB слой: InGaN и GaN
  • Волноводный слой: n-InGaN
  • Покрывающий слоой: n - AlGaN

Доступны также другие параметры длин волн, эпитаксиальных слоев.

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители