GaN структуры синих лазерных диодов

GaN структуры синих лазерных диодов на квантовых точках
InGaN/GaN

GaN структуры синих лазерных диодов на квантовых точках

на длины волн 440 - 460 нм 

Спецификация:

Подложка кремниевая Si

  • Диаметр: 50,8+/-0,2 мм
  • Толщина: 430+/-30 мкм

Структура слоев, MOCVD метод

  • Контактный слой: GaN p-типа
  • Слой сверхрешетки: GaN p-типа
  • Слой блокировки электронов: p-AlGaN
  • Волноводный слой: нелегированный InGaN
  • QW и QB слой: InGaN и GaN
  • Волноводный слой: n-InGaN
  • Покрывающий слоой: n - AlGaN

Доступны также другие параметры длин волн, эпитаксиальных слоев.

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители
Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру