C4D20120D

E4D20120A - SiC диод Шоттки E-серии 1200 В 20 A в корпусе TO-220-2
E4D20120A

 

 

E4D20120D

SiC диод Шоттки E-серии 1200 В 20 A в корпусе TO-220-2

 

Характеристики

  • Блокирующее напряжение - 1200 В
  • Ток - 20 A
  • Корпус -  TO-220-2
  • Технология - E-Series
  • Максимальный непрерывный ток (IF) - 25.5 A (при 135°C)
  • Суммарный емкостный заряд (QC (Typ))  - 99 нКл
  • Общая рассеиваемая мощность (PTOT) - 242 Вт (при 25°C)

Скачать даташит

 

Преимущества

  •  4е поколение SiC диодов - PIN + Шоттки технология
  • Нулевой обратный ток восстановления
  • работа на высоких частотах
  • Температурно-независимое переключение 
  • Сверхбыстрое переключение
  • Квалификация AEC-Q101 и доступность PPAP
  • Влагоустойчивость

 

Воспользуйтесь готовыми дизайнами популярных тополгий для систем построенных с использованием SiC приборов.

Загрузите LTspice или PLECS модели или попробуйте онлайн-моделирование SpeedFit

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители
Сопутствующие товары