E3M0120090D - SiC MOSFET 1200 В 23 А 120 мОм TO-247-3

E3M0120090D

 

 

 

Характеристики транзистора E3M0120090D

VDS = 900 В

ID при 25°С = 23 A

RDS[on] при 25°С= 120 мОм

Корпус TO-247-3

Максимальная температруа перехода = 150°С

Заряд обратного восстановления (Qrr) = 115 нКл

Выходная ёмкость = 40 пФ

Суммарный заряд на затворе = 17 нКл

Время обратного восстановления (Trr) = 24 нс

Скачать даташит

 

Особенности

  • Квалифицирован для электромобилей (AEC-Q101) и доступно PPAP
  • Значение Vbr минимум 900 В во всём диапазоне рабочих температур
  • Высокоскоростное переключение при низкой выходной ёмкости
  • Высокое блокирующее напряжение при низком RDS(on)
  • Быстрый встроенный диод с низким зарядом обратного восстановления (Qrr)

Загрузите LTspice или PLECS модели или попробуйте онлайн-моделирование SpeedFit

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных

Обращаем Ваше внимание компания «Макро Групп» работает только с юридическими лицами!



Производители
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру