KIT8020-CRD-5FF0917P-2

KIT8020-CRD-5FF0917P-2

Закажите пробный комплект Wolfspeed SiC MOSFET и сравните его с транзисторами, которые используете сейчас:

- работа при допустимом напряжением до 1200 вольт с малыми потерями при переключении;

Wolfspeed SiC MOSFET позволяет создавать компактные устройства с низким тепловыделением.


Отладочный набор KIT8020-CRD-5FF0917P-2  демонстрирует высокую эффективность работы SiC МОП-транзисторов поколения C3M Wolfspeed в копусе TO-247-4 в режиме сверхбыстрого переключенияНовый  оптимизированный корпус TO-247-4 включает в себя отделный кельвиновский вывод, который уменьшает индуктивность на истоке, а также может снизить потереи на коммутацию на целых 30%.

Данная отладочная плата имеет конфигурацию полумоста с двумя SiC МОП-транзисторами Cree C3M0075120K. 

Также возможны другие конфигурации:

  • cинхронный понижающий преобразователь (buck);
  • синхронный повышающий преобразователь (boost);
  • инвертор
  • другие популярные топологии

По сравнению с предыдущими поколениями MOSFET Cree, для новых C3M MSFET снижены требования к напряжению затвор-исток (VGS), что понижает общие потери мощности.

 

Набор позволит разработчику:

  • Оценить и оптимизировать стабильность работы и коммутационные характеристики 3-го поколения Sic MOSFET Cree (C3M) в корпусе TO-247-4
  • оценить эффективность преобразователя на карбид-кремниевых MOSFET, сравнить со схемами на IGBT;
  • опробовать различные конфигурации с SiC приборами;
  • измерить динамические потери SiC MOSFET;
  • использовать реальный пример платы драйвера MOSFET Wolfspeed в своей разработке.

 Особенности отладочного набора:

  • Два SiC MOSFET C3M0075120K (1200В, 75 мОм, TO-247-4)
  • В плате предусмотрены два отдельных драйвера затвора для каждого (C3M) SiC MOSFET

С руководством пользователя можно ознакомиться по ссылке .

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители
Менеджер направления
Валерия Смирнова
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру