CRD-5FF0912P

Отладочная плата на основе SiC-MOSFET 900В 120мОм от Wolfspeed
CRD-5FF0912P

CRD-5FF0912P - отладочная плата на основе SiC-MOSFET 900В 120мОм от Wolfspeed

Позволяет оценить эффективность систем, построенных на основе SiC-МОП транзисторов 900В 120мОм - C3M0120100K

С помощью платы CRD-5FF0912P Вы сможете:

• Оценить производительность SiC- MOSFET в корпусе 7L D2PAK, на основе значений потери энергии при переключении EON и EOFF.;

• Оценить работу SiC-MOSFET на высоких частотах переключения, до 3 МГц;

• Оценить тепловые характеристики транзистора;

• Оценить влияние различных значений Rg;

• Оценить управление полевым и биполярным типами затворов;

• Оценить термические характеристики материалов интерфейса и методы их охлаждения.

Блок-схема платы CRD-5FF0912P:

Блок схема CRD-5FF0912P

Скачать даташит: CRD-5FF0912P


Стоимость и наличие
ПроизводительЦена мелкий опт, USD.Цена опт, USD.Наличие, шт.
Wolfspeed427,500405,000заказ

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных

You must have JavaScript enabled to use this form.



Производители
Новости
20.01.2017, 12:00
Оценочная плата на основе SiC-MOSFET 900 В 120 мОм от Wolfspeed
Компания Wolfspeed для оценки эффективности систем на основе SiC-МOSFET транзисторов 900 В 120 мОм выпустила плату CRD-5FF0912P. Плата CRD-5FF0912P демонстрирует производительность SiC-МOSFET транзисторов Cree 3-го поколения в корпусе 7LD2PAK в режиме сверхбыстрого переключения. Устройство…
Сопутствующие товары