CRD-5FF0912P

Отладочная плата на основе SiC-MOSFET 900В 120мОм от Wolfspeed
CRD-5FF0912P

CRD-5FF0912P - отладочная плата на основе SiC-MOSFET 900В 120мОм от Wolfspeed

Позволяет оценить эффективность систем, построенных на основе SiC-МОП транзисторов 900В 120мОм - C3M0120100K

С помощью платы CRD-5FF0912P Вы сможете:

• Оценить производительность SiC- MOSFET в корпусе 7L D2PAK, на основе значений потери энергии при переключении EON и EOFF.;

• Оценить работу SiC-MOSFET на высоких частотах переключения, до 3 МГц;

• Оценить тепловые характеристики транзистора;

• Оценить влияние различных значений Rg;

• Оценить управление полевым и биполярным типами затворов;

• Оценить термические характеристики материалов интерфейса и методы их охлаждения.

Блок-схема платы CRD-5FF0912P:

Блок схема CRD-5FF0912P

Скачать даташит: CRD-5FF0912P


Стоимость и наличие
ПроизводительЦена мелкий опт, USD.Цена опт, USD.Наличие, шт.
Wolfspeed427,500405,000заказ

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители
Новости
20.01.2017, 12:00
Оценочная плата на основе SiC-MOSFET 900 В 120 мОм от Wolfspeed
Компания Wolfspeed для оценки эффективности систем на основе SiC-МOSFET транзисторов 900 В 120 мОм выпустила плату CRD-5FF0912P. Плата CRD-5FF0912P демонстрирует производительность SiC-МOSFET транзисторов Cree 3-го поколения в корпусе 7LD2PAK в режиме сверхбыстрого переключения. Устройство…
Сопутствующие товары