QPD1015/L

QPD1015/L

Мощный транзистор QPD1015/L, выполненный по технологии 0.25 мкм GaN-on-SiC

Замена RF3932 и RF3944

Технические характеристики:

Рабочая полоса частот: DC (сигнал малой частоты) - 3,7 ГГц

Максимальная выходная мощность - 65 Ватт

Несогласован по входу и выходу

Технологический процесс QGaN25HV

Напряжение питания Vds = 50 В

Материал основания с низким тепловым сопротивлением

Экпортная классификация EAR99

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители