QPD1008/L

 QPD1008/L

Мощный транзистор QPD1008/L, выполненный по технологии 0.25 мкм GaN-on-SiC

Замена RF3934

Технические характеристики:

Рабочий диапазон частот: DC(низкочастотный сигнал) - 3,2 ГГц

Максимальная выходная мощность: 125 Вт

Несогласован по входу и выходу

Технологический процесс QGaN25HV

Напряжение питания: 50 В

Материал основания корпуса с низким тепловым сопротивлением

Экспотная классификация: EAR99

Закажите образцы

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных


Производители