125 ваттный транзистор QPD1008/L

Описание
Технические характеристики
125 Ваттный транзистор QPD1008/L

Мощный транзистор QPD1008/L, выполненный по технологии 0.25 мкм GaN-on-SiC

Замена RF3934

Рабочий диапазон частот: DC(низкочастотный сигнал) - 3,2 ГГц

Максимальная выходная мощность: 125 Вт

Несогласован по входу и выходу

Технологический процесс QGaN25HV

Напряжение питания: 50 В

Материал основания корпуса с низким тепловым сопротивлением

Экспотная классификация: EAR99

 

Закажите образцы

You must have Javascript enabled to use this form.


Производители
Менеджер направления
Георгий Кон
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру