Mobile DDR/DDR2

Компания Alliance Memory представила новую линейку высокоскоростной CMOS DDR SDRAM памяти для мобильных устройств, созданной для увеличения эффективности и времени работы от батарей для портативных устройств. Особенностями этой линейки являются работа от низкого питающего напряжения 1.7 ... 1.95 В и встроенные функции энергосбережения. Устройства плотностью 256-Mb, 512-Mb, 1-Gb, и 2-Gb предлагаются в 8x8 мм 60-ball и 8x13 мм 90-ball FPBGA корпусах.

Каждое новое поколение портативных устройств требует увеличения производительности, уменьшения энергопотребления и габаритов. Для достижения этого современные микросхемы обладают функцией ATCSR для минимизации энергопотребления при пониженных температурах окружающей среды. В добавок, функция частичного автоматического обновления данных (PASR) снижает потребляемую мощность благодаря обновлению только критически важных данных, в то время как функция PDP обеспечивает ультрамалое энергопотребление, если сохранение данных не требуется.

В то время как количество поставщиков DDR SDRAM памяти для мобильных устройств продолжает уменьшаться, Alliance Memory предлагает новую линейку микросхем с низким энергопотреблением, которое так необходимо современным разработчикам. Изделия AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 и AS4C64M32MD1 обеспечивают повыводную совместимую замену ряда существующих решений для высокопроизводительных систем портативной электроники, медицинского оборудования и сетевых телекоммуникационных устройств.

Благодаря DDR архитектуре DDR SDRAM память для мобильных устройств обеспечивает высокую пропускную способность на частоте 166 MHz и 200 MHz. Для оптимальной функциональности все изделия доступны как в расширенном (-30°C ... +85°C), так и в промышленном (-40°C ... +85°C) диапазоне рабочих температур. DDR SDRAM память для мобильных устройств обеспечивает полностью синхронный режим работы и программируемые параметры read и write burst length - 2, 4, 8, или 16. Простые в использовании функции обновления включают автоматическое самообновление. Данные микросхемы  ROHS совместимы, представлены в бессвинцовом и безгалогеновом исполнении.

Емкость Организация Парт-номер Быстродействие Корпус Рабочие температуры
256M 16Mx16 AS4C16M16MD1-6BCN 166MHz 60-ball FPBGA -25°C … +85°C
AS4C16M16MD1-6BIN -40 … + 85 ℃
512M 32Mx16 AS4C32M16MD1-5BCN  200MHz 60-ball FPBGA -30°C … 85°C 

AS4C32M16MD1-5BIN

-40 °C to +85 °C
16Mx32 AS4C16M32MD1-5BCN 200MHz 90-ball FPBGA -25°C … +85°C
AS4C16M32MD1-5BIN -40℃ … + 85 ℃
1Gb 64Mx16 AS4C64M16MD1-6BCN 166MHz 60-ball FPBGA -25°C … +85°C
AS4C64M16MD1-6BIN -40℃ … + 85 ℃
32Mx32 AS4C32M32MD1-5BCN  200MHz 90-ball FPBGA 0°C … 70°C
AS4C32M32MD1-5BIN -40℃ … + 85 ℃
2Gb 64Mx32 AS4C64M32MD1-5BCN  200MHz 90-ball FPBGA 0°C … 70°C
AS4C64M32MD1-5BIN  -40℃ … + 85 ℃

Mobile DDR2

Плотность

Организация

Парт-номер

Скорость

Корпус

1 Gb

64Mx16

AS4C64M16MD2

400MHz

134-ball FBGA (10x11.5x1.0)

32Mx32

AS4C32M32MD2

400MHz

134-ball FBGA (10x11.5x1.0)

2 Gb

128Mx16

AS4C128M16MD2

400MHz

134-ball FBGA (10x11.5x1.0)

64Mx32

AS4C64M32MD2

400MHz

134-ball FBGA (10x11.5x1.0)

4 Gb

128Mx32

AS4C128M32MD2

533MHz

134-ball FBGA (11.5x11.5x1.0)

8 Gb

256Mx32

AS4C256M32MD2

533MHz

134-ball FBGA (11.5x11.5x1.0)


Производители
Новости
23.01.2015, 10:15
Mobile DDR от Alliance Memory
Компания Alliance Memory представила новую линейку высокоскоростной CMOS DDR SDRAM памяти для мобильных устройств, созданной для увеличения эффективности и времени работы от батарей для портативных…