Компания Alliance Memory представила новую линейку высокоскоростной CMOS DDR SDRAM памяти для мобильных устройств, созданной для увеличения эффективности и времени работы от батарей для портативных устройств. Особенностями этой линейки являются работа от низкого питающего напряжения 1.7 ... 1.95 В и встроенные функции энергосбережения. Устройства плотностью 256-Mb, 512-Mb, 1-Gb, и 2-Gb предлагаются в 8x8 мм 60-ball и 8x13 мм 90-ball FPBGA корпусах.
Каждое новое поколение портативных устройств требует увеличения производительности, уменьшения энергопотребления и габаритов. Для достижения этого современные микросхемы обладают функцией ATCSR для минимизации энергопотребления при пониженных температурах окружающей среды. В добавок, функция частичного автоматического обновления данных (PASR) снижает потребляемую мощность благодаря обновлению только критически важных данных, в то время как функция PDP обеспечивает ультрамалое энергопотребление, если сохранение данных не требуется.
В то время как количество поставщиков DDR SDRAM памяти для мобильных устройств продолжает уменьшаться, Alliance Memory предлагает новую линейку микросхем с низким энергопотреблением, которое так необходимо современным разработчикам. Изделия AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 и AS4C64M32MD1 обеспечивают повыводную совместимую замену ряда существующих решений для высокопроизводительных систем портативной электроники, медицинского оборудования и сетевых телекоммуникационных устройств.
Благодаря DDR архитектуре DDR SDRAM память для мобильных устройств обеспечивает высокую пропускную способность на частоте 166 MHz и 200 MHz. Для оптимальной функциональности все изделия доступны как в расширенном (-30°C ... +85°C), так и в промышленном (-40°C ... +85°C) диапазоне рабочих температур. DDR SDRAM память для мобильных устройств обеспечивает полностью синхронный режим работы и программируемые параметры read и write burst length - 2, 4, 8, или 16. Простые в использовании функции обновления включают автоматическое самообновление. Данные микросхемы ROHS совместимы, представлены в бессвинцовом и безгалогеновом исполнении.
Емкость | Организация | Парт-номер | Быстродействие | Корпус | Рабочие температуры |
---|---|---|---|---|---|
256M | 16Mx16 | AS4C16M16MD1-6BCN | 166MHz | 60-ball FPBGA | -25°C … +85°C |
AS4C16M16MD1-6BIN | -40℃ … + 85 ℃ | ||||
512M | 32Mx16 | AS4C32M16MD1-5BCN | 200MHz | 60-ball FPBGA | -30°C … 85°C |
-40 °C to +85 °C | |||||
16Mx32 | AS4C16M32MD1-5BCN | 200MHz | 90-ball FPBGA | -25°C … +85°C | |
AS4C16M32MD1-5BIN | -40℃ … + 85 ℃ | ||||
1Gb | 64Mx16 | AS4C64M16MD1-6BCN | 166MHz | 60-ball FPBGA | -25°C … +85°C |
AS4C64M16MD1-6BIN | -40℃ … + 85 ℃ | ||||
32Mx32 | AS4C32M32MD1-5BCN | 200MHz | 90-ball FPBGA | 0°C … 70°C | |
AS4C32M32MD1-5BIN | -40℃ … + 85 ℃ | ||||
2Gb | 64Mx32 | AS4C64M32MD1-5BCN | 200MHz | 90-ball FPBGA | 0°C … 70°C |
AS4C64M32MD1-5BIN | -40℃ … + 85 ℃ |
Mobile DDR2
Плотность |
Организация |
Парт-номер |
Скорость |
Корпус |
1 Gb |
64Mx16 |
400MHz |
134-ball FBGA (10x11.5x1.0) |
|
32Mx32 |
400MHz |
134-ball FBGA (10x11.5x1.0) |
||
2 Gb |
128Mx16 |
400MHz |
134-ball FBGA (10x11.5x1.0) |
|
64Mx32 |
400MHz |
134-ball FBGA (10x11.5x1.0) |
||
4 Gb |
128Mx32 |
533MHz |
134-ball FBGA (11.5x11.5x1.0) |
|
8 Gb |
256Mx32 |
AS4C256M32MD2 |
533MHz |
134-ball FBGA (11.5x11.5x1.0) |