Mobile DDR/DDR2

Компания Alliance Memory представила новую линейку высокоскоростной CMOS DDR SDRAM памяти для мобильных устройств, созданной для увеличения эффективности и времени работы от батарей для портативных устройств. Особенностями этой линейки являются работа от низкого питающего напряжения 1.7 ... 1.95 В и встроенные функции энергосбережения. Устройства плотностью 256-Mb, 512-Mb, 1-Gb, и 2-Gb предлагаются в 8x8 мм 60-ball и 8x13 мм 90-ball FPBGA корпусах.

Каждое новое поколение портативных устройств требует увеличения производительности, уменьшения энергопотребления и габаритов. Для достижения этого современные микросхемы обладают функцией ATCSR для минимизации энергопотребления при пониженных температурах окружающей среды. В добавок, функция частичного автоматического обновления данных (PASR) снижает потребляемую мощность благодаря обновлению только критически важных данных, в то время как функция PDP обеспечивает ультрамалое энергопотребление, если сохранение данных не требуется.

В то время как количество поставщиков DDR SDRAM памяти для мобильных устройств продолжает уменьшаться, Alliance Memory предлагает новую линейку микросхем с низким энергопотреблением, которое так необходимо современным разработчикам. Изделия AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 и AS4C64M32MD1 обеспечивают повыводную совместимую замену ряда существующих решений для высокопроизводительных систем портативной электроники, медицинского оборудования и сетевых телекоммуникационных устройств.

Благодаря DDR архитектуре DDR SDRAM память для мобильных устройств обеспечивает высокую пропускную способность на частоте 166 MHz и 200 MHz. Для оптимальной функциональности все изделия доступны как в расширенном (-30°C ... +85°C), так и в промышленном (-40°C ... +85°C) диапазоне рабочих температур. DDR SDRAM память для мобильных устройств обеспечивает полностью синхронный режим работы и программируемые параметры read и write burst length - 2, 4, 8, или 16. Простые в использовании функции обновления включают автоматическое самообновление. Данные микросхемы  ROHS совместимы, представлены в бессвинцовом и безгалогеновом исполнении.

Mobile DDR2