Оперативная память DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение, применяемая в вычислительных и коммуникационных системах в качестве оперативной памяти или видеопамяти. Основным отличием от предыдущего поколения является удвоение скорости передачи данных благодаря увеличению размера предпрокачки с 4 бит (DDR2) до 8 бит. Основная сфера применения DDR3 RAM — вычислительная техника — ПК, ноутбуки, серверы, высокопроизводительные промышленные системы, а также сетевое и телекоммуникационное оборудование.

Емкость Организация Парт-номер Напряжение Быстродействие Корпус Рабочие температуры
1Gb

 

64Mx16

AS4C64M16D3-12BCN

1.5V

 

800MHz

 

96-ball FBGA

0°C to 95°C
AS4C64M16D3-12BIN -40°C to 95°C
AS4C64M16D3L-12BCN 

1.35V

0°C to 95°C
AS4C64M16D3L-12BIN  -40°C to 95°C 

 

128Mx8

AS4C128M8D3-12BCN 

1.5V

 

800MHz

 

78-ball FBGA

0°C to 95°C
AS4C128M8D3-12BIN -40°C to 95°C
AS4C128M8D3L-12BCN

1.35V

0°C to 95°C
AS4C128M8D3L-12BIN  -40°C to 95°C
2Gb

 

128Mx16

AS4C128M16D3-12BCN

1.5V

 

800MHz

 

96-ball FBGA

0°C to 95°C
AS4C128M16D3-12BIN -40°C to 95°C
AS4C128M16D3L-12BCN

1.35V

0°C to 95°C
AS4C128M16D3L-12BIN -40°C to 95°C

 

 

256Mx8

AS4C256M8D3-12BCN

 

1.5V

667MHz

 

 

78-ball FBGA

0°C to 95°C
AS4C256M8D3-12BIN  667MHz -40°C to 95°C
AS4C256M8D3-15BCN  800MHz 0°C to 95°C
AS4C256M8D3-15BIN 800MHz -40°C to 95°C
AS4C256M8D3L-12BCN

1.35V

800MHz

0°C to 95°C
AS4C256M8D3L-12BIN  -40°C to 95°C
4Gb

 

256Mx16

AS4C256M16D3-12BCN 

1.5V

 

 

800MHz

 

96-ball FBGA

0°C to 95°C
AS4C256M16D3-12BIN -40°C to 95°C
AS4C256M16D3L-12BCN 

1.35V

0°C to 95°C
AS4C256M16D3L-12BIN -40°C to 95°C

 

512Mx8

AS4C512M8D3-12BCN 

1.5V

 

800MHz

 

78-ball FBGA

0°C to 95°C
AS4C512M8D3-12BIN  -40°C to 95°C
AS4C512M8D3L-12BCN 

1.35V

0°C to 95°C
AS4C512M8D3L-12BIN  -40°C to 95°C

DDR3 SRAM — достоинства и недостатки

Одним из главных достоинств DDR3 SRAM является двукратное повышение скорости передачи данных. Если в DDR2 каждый буфер передаёт 4 бита за один такт, то в третьем поколении передача данных осуществляется в объеме 8 битов за один такт. Второе важное достоинство — снижение энергопотребления. DDR3, модуль динамической оперативной памяти, потребляет почти на 20% меньше энергии чем модуль DDR2 (1,5 против 1,8 В.) и на 40% меньше чем DDR (1,5 против 2,5 В.). Это стало возможным за счет уменьшения напряжения ячеек оперативной памяти благодаря более тонкому технологическому процессу (40 нм) изготовления при производстве модулей, а также использованию транзисторов Dual-gate — с двойным затвором, уменьшающим ток утечки.

У модулей DDR3 есть и недостатки в сравнении со вторым поколением. При её эксплуатации проявляется большая CAS-Latency — увеличение цикла ожидания между моментом поступления запроса от процессора и моментом времени, когда оперативка делает доступной для чтения первую ячейку. Впрочем, эта задержка компенсируется более высокой пропускной способностью.

Оперативная память DDR3 от компании Макро Групп

Компания Макро Групп предлагает широкий выбор микросхем оперативной памяти DDR3 от ведущих мировых производителей, в т. ч. и компании Alliance Memory. Мы предлагаем современную линейку высокоскоростной памяти CMOS DDR3 SDRAM, а также одно из последних решений — низковольтную DDR3L SDRAM с более экономным энергопотреблением (1,35 В. вместо 1,5 В. DDR3). Ёмкости линеек — от 1 до 8Gb выпускаются в корпусах 78-ball 9×10.5×1.2 мм и 96-ball 9×13×1.2 мм FBGA. 96-ball FBGA / 136-ball FBGA Архитектура DDR третьего поколения обеспечивает высокую пропускную способность и тактовую частоту модулей — соответственно 1600 Mbps/вывод и 800 МГц.

Данные модули способны заменить ряд существующих решений без существенных затрат на внесение изменений в проекты устройств. Модули памяти предлагаются в двух диапазонах рабочих температур:

  • коммерческом (от 0 до +90°С); 
  • промышленном (от -40 до +85°С).

Память имеет простые в применении функции обновления, в т. ч. и возможность автоматического обновления. Модули DDR3 являются ROHS совместимыми, производятся в без свинцовом и без галогеновом исполнении.

Компания Макро Групп обеспечивает поставку электронных компонентов, в т. ч. и микросхем DDR3 в Санкт-Петербург и др. города России. Нашими конкурентными преимуществами является высокое качество компонентов, низкий уровень цен.


Производители
Новости
01.07.2019, 16:00
DDR3L Dual-Die SDRAM 8 Гбит в корпусах 78-Ball и 96-Ball FBGA от Alliance Memory
Производитель Alliance Memory анонсировал выпуск микросхем на 8 Гбит, которые полностью pin-to-pin совместимы со снятыми с производства микросхемами single-die DDR3L SDRAM на 8 Гбит от Micron – Dual-Die DDR3L SDRAM.  
03.09.2018, 11:45
Руководство по проектированию ST-DDR3 для контроллеров Xilinx FPGA на сайте Макро Групп
Для облегчения реализации решений на основе энергонезависимой магниторезистивной памяти нового поколения ST-MRAM с интерфейсом ST-DDR3 компания Everspin выпустила руководство по проектированию ST-DDR3 для контроллеров Xilinx FPGA.
03.09.2018, 11:45
Руководство по проектированию ST-DDR3 для контроллеров Xilinx FPGA на сайте Макро Групп
Для облегчения реализации решений на основе энергонезависимой магниторезистивной памяти нового поколения ST-MRAM с интерфейсом ST-DDR3 компания Everspin выпустила руководство по проектированию ST-DDR3 для контроллеров Xilinx FPGA.
Менеджер направления
Микросхемы памяти
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру