DDR3 SDRAM — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение, применяемая в вычислительных и коммуникационных системах в качестве оперативной памяти или видеопамяти. Основным отличием от предыдущего поколения является удвоение скорости передачи данных благодаря увеличению размера предпрокачки с 4 бит (DDR2) до 8 бит. Основная сфера применения DDR3 RAM — вычислительная техника — ПК, ноутбуки, серверы, высокопроизводительные промышленные системы, а также сетевое и телекоммуникационное оборудование.
Емкость | Организация | Парт-номер | Напряжение | Быстродействие | Корпус | Рабочие температуры |
---|---|---|---|---|---|---|
1Gb |
64Mx16 |
AS4C64M16D3-12BCN |
1.5V |
800MHz |
96-ball FBGA |
0°C to 95°C |
AS4C64M16D3-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
AS4C64M16D3L-12BCN |
1.35V |
0°C to 95°C | ||||
AS4C64M16D3L-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
128Mx8 |
AS4C128M8D3-12BCN |
1.5V |
800MHz |
78-ball FBGA |
0°C to 95°C | |
AS4C128M8D3-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
AS4C128M8D3L-12BCN |
1.35V |
0°C to 95°C | ||||
AS4C128M8D3L-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
2Gb |
128Mx16 |
AS4C128M16D3-12BCN |
1.5V |
800MHz |
96-ball FBGA |
0°C to 95°C |
AS4C128M16D3-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
AS4C128M16D3L-12BCN |
1.35V |
0°C to 95°C | ||||
AS4C128M16D3L-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
256Mx8 |
AS4C256M8D3-12BCN |
1.5V |
667MHz |
78-ball FBGA |
0°C to 95°C | |
AS4C256M8D3-12BIN | 667MHz | -40°C to 95°C | ||||
AS4C256M8D3-15BCN | 800MHz | 0°C to 95°C | ||||
AS4C256M8D3-15BIN | 800MHz | -40°C to 95°C | ||||
AS4C256M8D3L-12BCN |
1.35V |
800MHz |
0°C to 95°C | |||
AS4C256M8D3L-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
4Gb |
256Mx16 |
AS4C256M16D3-12BCN |
1.5V
|
800MHz |
96-ball FBGA |
0°C to 95°C |
AS4C256M16D3-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
AS4C256M16D3L-12BCN |
1.35V |
0°C to 95°C | ||||
AS4C256M16D3L-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
512Mx8 |
AS4C512M8D3-12BCN |
1.5V |
800MHz |
78-ball FBGA |
0°C to 95°C | |
AS4C512M8D3-12BIN | -40°C to 95°C | |||||
AS4C512M8D3L-12BCN |
1.35V |
0°C to 95°C | ||||
AS4C512M8D3L-12BIN | -40°C to 95°C |
Одним из главных достоинств DDR3 SRAM является двукратное повышение скорости передачи данных. Если в DDR2 каждый буфер передаёт 4 бита за один такт, то в третьем поколении передача данных осуществляется в объеме 8 битов за один такт. Второе важное достоинство — снижение энергопотребления. DDR3, модуль динамической оперативной памяти, потребляет почти на 20% меньше энергии чем модуль DDR2 (1,5 против 1,8 В.) и на 40% меньше чем DDR (1,5 против 2,5 В.). Это стало возможным за счет уменьшения напряжения ячеек оперативной памяти благодаря более тонкому технологическому процессу (40 нм) изготовления при производстве модулей, а также использованию транзисторов
У модулей DDR3 есть и недостатки в сравнении со вторым поколением. При её эксплуатации проявляется большая
Компания Макро Групп предлагает широкий выбор микросхем оперативной памяти DDR3 от ведущих мировых производителей,
Данные модули способны заменить ряд существующих решений без существенных затрат на внесение изменений в проекты устройств. Модули памяти предлагаются в двух диапазонах рабочих температур:
Память имеет простые в применении функции обновления,
Компания Макро Групп обеспечивает поставку электронных компонентов,