Оперативная память DDR1 SDRAM

Оперативная память DDR1 или DDR SDRAM — это синхронная динамическая оперативная память с произвольным доступом к данным, с возможностью выбора для чтения или записи информации любых битов или байтов. DDR1 стала первой в линейке решений микросхем синхронной динамической памяти, пришедшей на смену памяти SDRAM, выгодно отличаясь удвоенной скоростью передачи данных.

Емкость Организация Парт-номер Быстродействие Корпус Рабочие температуры
64M 4Mx16 AS4C4M16D1-5TCN 200MHz 66pin TSOP II 0°C ... 70°C
AS4C4M16D1-5TIN  -40°C … 85°C
128M 8Mx16 AS4C8M16D1-5TCN 200MHz 66pin TSOP II 0°C ... 70°C
AS4C8M16D1-5TIN  -40°C … 85°C
256M 16Mx16 AS4C16M16D1-5TCN 200MHz 66pin TSOP II 0°C ... 70°C
AS4C16M16D1-5TIN -40°C … 85°C
AS4C16M16D1-5BCN 60ball TFBGA 0°C ... 70°C
AS4C16M16D1-5BIN -40°C … 85°C
512M 32Mx16 AS4C32M16D1-5TCN 200MHz 66pin TSOP II 0°C ... 70°C
AS4C32M16D1-5TIN -40°C … 85°C
AS4C32M16D1-5BCN 60ball TFBGA 0°C ... 70°C
AS4C32M16D1-5BIN -40°C … 85°C
64Mx8 AS4C64M8D1-5TCN 200MHz 66pin TSOP II 0°C ... 70°C
AS4C64M8D1-5TIN -40°C … 85°C
AS4C64M8D1-5BCN 60ball TFBGA 0°C ... 70°C
AS4C64M8D1-5BIN -40°C … 85°C
1G 64Mx16 AS4C64M16D1-6TCN  166MHz 66pin TSOP II 0°C ... 70°C
AS4C64M16D1-6TIN  -40°C … 85°C

Конструкция и особенности памяти DDR1

Динамическая память DDR1 SDRAM первоначально выпускалась в корпусах TSOP. Позднее был освоен выпуск в корпусах BGA. Технологический процесс производства микросхем осуществляется по нормам 0,13 и 0,09-микрон. Действующий стандарт памяти предусматривает следующие параметры:

  • Напряжение питания DDR1 — 2.5V ± 0.2В
  • Интерфейс SSTL_2

Удвоение производительности памяти в сравнении с SDRAM было достигнуто благодаря возможности считывания команд и данных как по фронту, так и по спаду тактового сигнала. Это позволило удвоить скорость передачи данных без повышения частоты тактового сигнала. Таким образом, память с частотой ядра 100 МГц даёт эффективную частоту в 200 МГц. Ещё одним, технологическим достоинством в сравнении с SDRAM является наличие сигнала QDS для синхронизации при передаче данных от двух и более микросхем. Сигнал позволяет решить проблему выбора синхросигнала для считывания при поступлении сигналов с небольшой разницей во времени. Недостатки оперативной памяти DDR1 SDRAM свойственны всем типам динамической памяти — энергозависимость, необходимость в постоянной регенерации, уменьшенная скорость чтения/записи в сравнении со статической ОЗУ.

Память DDR1 SDRAM от компании Макро Групп

Компания Макро Групп предлагает память DDR1 SDRAM от ведущего мирового производителя, компании Alliance Memory. В нашем ассортименте представлены линейки высокоскоростной DDR1 SDRAM памяти с различной ёмкостью в корпусах TSOP и BGA (66pin TSOP II, 60ball TFBGA). Для работы необходимо однополярное напряжение питания +2,6 В.

Каждая предлагаемая нами оперативная микросхема памяти соответствует высоким мировым стандартам качества. Вы можете заказать и приобрести DDR1 SDRAM в любом количестве, с оперативными сроками поставок. Оформите заказ на нашем сайте, позвоните или посетите офис компании Макро Групп в Санкт-Петербурге, Москве, Чебоксарах, Ростове на Дону, Екатеринбурге и Новосибирске.


Производители