Микросхемы динамической памяти DRAM

Динамическая оперативная память или dynamic random access memory (DRAM) — это оперативная энергозависимая память с произвольным доступом к считыванию информации. Сегодня память типа DRAM (в различных модификациях) является основным компонентом вычислительной техники благодаря наилучшему соотношению цены и качества.

Емкость

Организация Парт-номер Быстродействие Корпус Рабочие температуры
16M 1Mx16 AS4C1M16S-7TCN  143MHz 50-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
64M

4Mx16

AS4C4M16S-7TCN  143MHz

54-pin TSOP II

0 °C … +70 °C
AS4C4​M16S-6TCN 166MHz 0 °C … +70 °C
AS4C4M16S-6TIN -40 °C … +85 °C
AS4C4M16S-6BCN  166MHz 54-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C4M16S-6BIN  -40 °C … +85 °C
AS4C4M16D1A-5TCN

200 MHz

66-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C4M16D1A-5TIN -40 °C … +85 °C
2Mx32 AS4C2M32S-7TCN 143MHz

86-pin TSOP II

0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-6TCN 166MHz 0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-6TIN -40 °C … +85 °C
AS4C2M32S-5TCN 200MHz 0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-7BCN 143MHz 90-ball TFBGA  0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-6BIN 166MHz -40 °C … 85 °C
128M 8Mx16 AS4C8M16S-7TCN 143 MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C8M16S-6TCN 166 MHz 0 °C … +70 °C
AS4C8M16S-6TIN -40 °C … +85 °C
AS4C8M16S-6TAN -40 °C … +105 °C
AS4C8M16S-7BCN 143 MHz 54-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C8M16S-6BIN 166 MHz -40 °C … +85 °C
AS4C8M16D1A-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C8M16D1A-5TIN -40 °C ... +85 °C
4Mx32 AS4C4M32S-7TCN  143MHz 86-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C4M32S-6TCN  166MHz 0 °C … +70 °C
AS4C4M32S-6TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C4M32S-7BCN 143MHz 90-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C4M32S-6BIN  166MHz -40 °C … +85 °C
256M 16Mx16 AS4C16M16S-7TCN   143 MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C16M16S-6TCN   166 MHz 0 °C … +70 °C
AS4C16M16S-6TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C16M16S-6TAN   -40 °C … +105 °C
AS4C16M16S-7BCN   143 MHz 54-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C16M16S-6BIN  166 MHz -40 °C … +85 °C
AS4C16M16D1A-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C16M16D1A-5TIN -40 °C … +85 °C
AS4C16M16D1-5BCN 60-ball TFBGA 0 °C ... +70 °C
AS4C16M16D1-5BIN -40 °C … +85 °C
8Mx32 AS4C8M32S-7BCN  143MHz 90-ball TFBGA  0 °C … +70 °C
AS4C8M32S-6BIN   166MHz -40 °C … +85 °C
32Mx8 AS4C32M8D1-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C32M8D1-5TIN -40 °C … +85 °C
512M 32Mx16 AS4C32M16SA-7TCN  143MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C32M16SA-7TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C32M16SM-7TCN  133MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C32M16SM-7TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C32M16D1A-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C32M16D1A-5TIN -40 °C … +85 °C
AS4C32M16D1-5BCN 60-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C32M16D1-5BIN -40 °C … +85 °C
64Mx8  AS4C64M8D1-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C64M8D1-5TIN -40 °C ... +85 °C
AS4C64M8D1-5BCN 60-ball TFBGA 0 °C ... +70 °C
AS4C64M8D1-5BIN -40 °C ... +85 °C
1Gb 64Mx16 AS4C64M16D1-6TCN 166 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C64M16D1-6TIN -40 °C ... +85 °C

Принцип действия и основные характеристики памяти DRAM

Dynamic random access memory — это память с произвольным доступом, где каждая ячейка состоит из одного конденсатора и группы транзисторов. Задачей конденсатора является хранение одного бита информации, транзисторы — удерживают заряд и открывают/закрывают доступ к хранителю информации при чтении и записи. Вместе они составляют ячейку матрицы памяти. Кроме того, стандартная микросхема памяти состоит из следующих элементов:

  • Резистор — равномерно распределяет напряжение между столбцами матрицы.
  • Контроллер шины памяти — получение команд, данных и адресов от внешних систем и их передача во внутренние блоки.
  • Блок управления — организация работы блоков памяти и периодическое восстановление (дозарядка конденсатора) питания.
  • Дешифраторы адресов строки и столбца — регулируют считывание/запись информации и подачу напряжения в матрицу.
  • Блок работы с данными — распределяет данные по ячейкам.
  • Блок регенерации — определяет необходимость регенерации ячеек.
  • Буфер данных — сохраняет считанные данные для последующего выбора требуемых бит.

Основным недостатком данной схемы является необходимость дозарядки конденсатора для хранения данных и, в особенности, после их чтения.

Производительность микросхем динамической памяти во многом зависит от рабочей частоты и тайминга — задержки времени полного доступа (между подачей номеров столбца и строки) и рабочего цикла (между запросом номера столбца и получением данных ячейки). Задержка измеряется в наносекундах или тактах, и чем они меньше, тем более высокая производительность микросхем DRAM.

Основными преимуществами динамической памяти являются малая себестоимость и высокая степень упаковки, позволяющая создавать микросхемы большой ёмкости. Недостатки — динамическая память имеет меньшее быстродействие в сравнении со статической, необходимость восстановления заряда конденсатора. В целом же динамический тип оперативной памяти является основным в большинстве современных вычислительных устройств.

Синхронная DRAM память (SDRAM)

С момента своего появления микросхемы динамической памяти постоянно совершенствовались, увеличивался их объём и производительность, уменьшались размеры и тайминг. Первым типом памяти, успешно работающим при частоте системной шины от 100 МГц и более (обусловленной выпуском новых процессоров) стала синхронная динамическая память — SDRAM. Её особенностью является синхронная работа с контроллером памяти, обеспечивающая конвейерную обработку информации — возможность отсылать запрос на считывание новой информации до завершения считывания предыдущей для уменьшения тайминга. Усложненный процесс считывания привел к усложнению контроллера, впервые был использован тактовый генератор для синхронизации всех сигналов.

Компания «Макго Групп» предлагает большой выбор синхронной динамической памяти от известного производителя Alliance Memory емкостью от 16Mb до 512Mb, в корпусах 54-pin TSOP II, 66-pin TSOP II и 60-ball TFBGA частотой от 133 до 200 МГц. Это высококачественные продукты для промышленного, медицинского, телекоммуникационного оборудования и вычислительных систем. Мы предлагаем только надежные решения, оптимальные по соотношению цены и качества, с доставкой в любой регион России и стран СНГ.

Дальнейшими модификациями DRAM стала -

DDR SDRAM – технология удвоения частоты передачи данных благодаря их передаче не только по фронту тактового импульса внешней шины, но и по спаду. В модификация DDR2 и DDR3 произошло дальнейшее увеличение рабочей частоты, что позволило значительно увеличить производительность микросхем.


Производители
Новости
07.12.2020, 14:00
Динамическая высокоскоростная память DDR4 8Gb от Alliance Memory
Компания Alliance Memory объявила о расширении портфеля двумя новыми устройствами с более высокой плотностью памяти 8 ГБ – AS4C1G8D4 и AS4C512M16D4.
01.02.2017, 16:45
Высокоскоростная CMOS DDR2 SDRAM на 2 Гбит от Alliance Memory
Производитель Alliance Memory анонсировала выпуск микросхемы CMOS SDRAM с интерфейсом DDR2 плотностью 2 Гбит в корпусе 84-ball FBGA размерами 12,5×1,2 мм. Alliance Memory – один из немногих производителей, продолжающих развивать серию CMOS SDRAM микросхем с интерфейсом DDR2.
15.01.2017, 21:30
Монолитная высокоскоростная CMOS DDR3L SDRAM 8 Гбит в корпусе 96-ball FBGA от Alliance Memory
Alliance Memory представляет новую монолитную микросхему CMOS SDRAM плотностью 8 Гбит с интерфейсом DDR3L и скоростью передачи данных до 1600 Мбит/с на вывод – AS4C512M16D3L.
Менеджер направления
Роман Боронников
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру