Микросхемы динамической памяти DRAM

Динамическая оперативная память или dynamic random access memory (DRAM) — это оперативная энергозависимая память с произвольным доступом к считыванию информации. Сегодня память типа DRAM (в различных модификациях) является основным компонентом вычислительной техники благодаря наилучшему соотношению цены и качества.

Емкость

Организация Парт-номер Быстродействие Корпус Рабочие температуры
16M 1Mx16 AS4C1M16S-7TCN  143MHz 50-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
64M

4Mx16

AS4C4M16S-7TCN  143MHz

54-pin TSOP II

0 °C … +70 °C
AS4C4​M16S-6TCN 166MHz 0 °C … +70 °C
AS4C4M16S-6TIN -40 °C … +85 °C
AS4C4M16S-6BCN  166MHz 54-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C4M16S-6BIN  -40 °C … +85 °C
AS4C4M16D1A-5TCN

200 MHz

66-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C4M16D1A-5TIN -40 °C … +85 °C
2Mx32 AS4C2M32S-7TCN 143MHz

86-pin TSOP II

0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-6TCN 166MHz 0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-6TIN -40 °C … +85 °C
AS4C2M32S-5TCN 200MHz 0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-7BCN 143MHz 90-ball TFBGA  0 °C … +70 °C
AS4C2M32S-6BIN 166MHz -40 °C … 85 °C
128M 8Mx16 AS4C8M16S-7TCN 143 MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C8M16S-6TCN 166 MHz 0 °C … +70 °C
AS4C8M16S-6TIN -40 °C … +85 °C
AS4C8M16S-6TAN -40 °C … +105 °C
AS4C8M16S-7BCN 143 MHz 54-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C8M16S-6BIN 166 MHz -40 °C … +85 °C
AS4C8M16D1A-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C8M16D1A-5TIN -40 °C ... +85 °C
4Mx32 AS4C4M32S-7TCN  143MHz 86-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C4M32S-6TCN  166MHz 0 °C … +70 °C
AS4C4M32S-6TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C4M32S-7BCN 143MHz 90-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C4M32S-6BIN  166MHz -40 °C … +85 °C
256M 16Mx16 AS4C16M16S-7TCN   143 MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C16M16S-6TCN   166 MHz 0 °C … +70 °C
AS4C16M16S-6TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C16M16S-6TAN   -40 °C … +105 °C
AS4C16M16S-7BCN   143 MHz 54-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C16M16S-6BIN  166 MHz -40 °C … +85 °C
AS4C16M16D1A-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C16M16D1A-5TIN -40 °C … +85 °C
AS4C16M16D1-5BCN 60-ball TFBGA 0 °C ... +70 °C
AS4C16M16D1-5BIN -40 °C … +85 °C
8Mx32 AS4C8M32S-7BCN  143MHz 90-ball TFBGA  0 °C … +70 °C
AS4C8M32S-6BIN   166MHz -40 °C … +85 °C
32Mx8 AS4C32M8D1-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C32M8D1-5TIN -40 °C … +85 °C
512M 32Mx16 AS4C32M16SA-7TCN  143MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C32M16SA-7TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C32M16SM-7TCN  133MHz 54-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C32M16SM-7TIN  -40 °C … +85 °C
AS4C32M16D1A-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C32M16D1A-5TIN -40 °C … +85 °C
AS4C32M16D1-5BCN 60-ball TFBGA 0 °C … +70 °C
AS4C32M16D1-5BIN -40 °C … +85 °C
64Mx8  AS4C64M8D1-5TCN 200 MHz 66-pin TSOP II 0 °C … +70 °C
AS4C64M8D1-5TIN -40 °C ... +85 °C
AS4C64M8D1-5BCN 60-ball TFBGA 0 °C ... +70 °C
AS4C64M8D1-5BIN -40 °C ... +85 °C
1Gb 64Mx16 AS4C64M16D1-6TCN 166 MHz 66-pin TSOP II 0 °C ... +70 °C
AS4C64M16D1-6TIN -40 °C ... +85 °C

Принцип действия и основные характеристики памяти DRAM

Dynamic random access memory — это память с произвольным доступом, где каждая ячейка состоит из одного конденсатора и группы транзисторов. Задачей конденсатора является хранение одного бита информации, транзисторы — удерживают заряд и открывают/закрывают доступ к хранителю информации при чтении и записи. Вместе они составляют ячейку матрицы памяти. Кроме того, стандартная микросхема памяти состоит из следующих элементов:

  • Резистор — равномерно распределяет напряжение между столбцами матрицы.
  • Контроллер шины памяти — получение команд, данных и адресов от внешних систем и их передача во внутренние блоки.
  • Блок управления — организация работы блоков памяти и периодическое восстановление (дозарядка конденсатора) питания.
  • Дешифраторы адресов строки и столбца — регулируют считывание/запись информации и подачу напряжения в матрицу.
  • Блок работы с данными — распределяет данные по ячейкам.
  • Блок регенерации — определяет необходимость регенерации ячеек.
  • Буфер данных — сохраняет считанные данные для последующего выбора требуемых бит.

Основным недостатком данной схемы является необходимость дозарядки конденсатора для хранения данных и, в особенности, после их чтения.

Производительность микросхем динамической памяти во многом зависит от рабочей частоты и тайминга — задержки времени полного доступа (между подачей номеров столбца и строки) и рабочего цикла (между запросом номера столбца и получением данных ячейки). Задержка измеряется в наносекундах или тактах, и чем они меньше, тем более высокая производительность микросхем DRAM.

Основными преимуществами динамической памяти являются малая себестоимость и высокая степень упаковки, позволяющая создавать микросхемы большой ёмкости. Недостатки — динамическая память имеет меньшее быстродействие в сравнении со статической, необходимость восстановления заряда конденсатора. В целом же динамический тип оперативной памяти является основным в большинстве современных вычислительных устройств.

Синхронная DRAM память (SDRAM)

С момента своего появления микросхемы динамической памяти постоянно совершенствовались, увеличивался их объём и производительность, уменьшались размеры и тайминг. Первым типом памяти, успешно работающим при частоте системной шины от 100 МГц и более (обусловленной выпуском новых процессоров) стала синхронная динамическая память — SDRAM. Её особенностью является синхронная работа с контроллером памяти, обеспечивающая конвейерную обработку информации — возможность отсылать запрос на считывание новой информации до завершения считывания предыдущей для уменьшения тайминга. Усложненный процесс считывания привел к усложнению контроллера, впервые был использован тактовый генератор для синхронизации всех сигналов.

Компания «Макго Групп» предлагает большой выбор синхронной динамической памяти от известного производителя Alliance Memory емкостью от 16Mb до 512Mb, в корпусах 54-pin TSOP II, 66-pin TSOP II и 60-ball TFBGA частотой от 133 до 200 МГц. Это высококачественные продукты для промышленного, медицинского, телекоммуникационного оборудования и вычислительных систем. Мы предлагаем только надежные решения, оптимальные по соотношению цены и качества, с доставкой в любой регион России и стран СНГ.

Дальнейшими модификациями DRAM стала -

DDR SDRAM – технология удвоения частоты передачи данных благодаря их передаче не только по фронту тактового импульса внешней шины, но и по спаду. В модификация DDR2 и DDR3 произошло дальнейшее увеличение рабочей частоты, что позволило значительно увеличить производительность микросхем.


Производители
Новости
01.02.2017, 16:45
Высокоскоростная CMOS DDR2 SDRAM на 2 Гбит от Alliance Memory
Производитель Alliance Memory анонсировала выпуск микросхемы CMOS SDRAM с интерфейсом DDR2 плотностью 2 Гбит в корпусе 84-ball FBGA размерами 12,5×1,2 мм. Alliance Memory – один из немногих производителей, продолжающих развивать серию CMOS SDRAM микросхем с интерфейсом DDR2.
15.11.2016, 11:30
Высокоскоростные MSDR SDRAM на 512 Мбит от Alliance memory
Производитель Alliance Memory представляет две новые высокоскоростные CMOS микросхемы мобильных синхронных DRAM (MSDR) плотностью 512 Мбит, предназначенных для увеличения срока службы аккумулятора в мобильных устройствах.
12.10.2016, 12:45
512 Мбит DDR3 SDRAM с рабочей температурой -40…+105°С от Winbond
Компания Winbond Electronics анонсировала выпуск микросхемы DDR3/3L SDRAM низкой плотности 512 Мбит c тремя вариантами рабочего температурного диапазона, в том числе автомобильным: -40…+105°C. Новой микросхемой Winbond расширяет своё семейство DDR3 SDRAM, которое уже включает…