Структуры GaAs
Описание
Химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.
Компания Макро Групп поставляет эпитаксиальные структуры на основе арсенида галлия
- GaAs HEMT
- GaAs pHEMT
- GaAs mHEMT
- GaAs HBT MESFET
- GaAs PIN и диоды Шоттки
Новости
24.03.2016, 13:45
Вебинар: Новинки GaAs&GaN микросхем Qorvo для ответственных применений
Приглашаем на вебинар по СВЧ-компонентам компании Qorvo (США). Вы узнаете о новейших GaN микросхемах, выполненных по технологии 0,15 и 0,25 мкм. Многие компоненты Qorvo имеют экспортную классификацию EAR99 и свободно поставляются в Россию.
31.07.2015, 12:30
Qorvo перевело ряд GaAs pHEMT микросхем на пластины 6 дюймов
Мировой лидер в разработке и производстве GaN и GaAs микросхем Qorvo (RFMD+TriQuint) провёл квалификацию нового GaAs pHEMT процесса для диаметра структур 6 дюймов,
Сопутствующие товары
© 2022 Макро Групп карта сайта
Разработка сайта — BQUADRO
