Микросхемы оперативной памяти

Микросхема оперативной памяти – это электронное устройство, играющее роль рабочей области для процессора вычислительной техники, сетевого и коммуникационного оборудования. В основном ей отводится роль временного хранилища данных, необходимых для обеспечения работы программ и приложений. При выключении общего питания устройства энергозависимая память теряют всю хранимую в своих ячейках информацию и требует новой загрузки данных с ПЗУ.

Часто микросхемы ОЗУ называются устройствами с произвольным доступом, что означает независимость обращения к массивам информации от порядка их расположения.

Все современные чипы памяти подразделяются на два основных класса – энергозависимую и энергонезависимую. Наибольшее применение получили микросхемы энергозависимой памяти ОЗУ или RAM, требующие для работы внешние источники питания. В свою очередь чипы оперативной памяти энергозависимого типа подразделяются на статические (SRAM) и динамические (DRAM).

Энергонезависимая память в общем смысле – это любое устройство или его часть, которое сохраняет данные не зависимо от наличия или отсутствия питающего напряжения.

Основные типы ОЗУ

Существуют следующие основные типы оперативных энергозависимых и энергонезависимых устройств:

  • динамическое оперативное запоминающее устройство – сохраняет информацию на конденсаторах малой ёмкости входящих в состав транзисторных ячеек. Благодаря меньшему размеру ячеек обеспечивается более высокая плотность памяти и, соответственно, снижается стоимость единицы. Недостатком является необходимость постоянной подзарядки конденсаторов и усложнения схемы интерфейса, а также постоянного считывания и перезаписи ячеек – обновления памяти. Для последнего необходимо наличие специального контроллера, который располагается либо в центральном процессоре, либо на материнской плате. Наибольшее применение чипы DRAM получили в качестве оперативной памяти вычислительной техники.
  • статический оперативный ЗУ (СОЗУ). Это запоминающее устройство на основе полупроводникового триггера с цифровым управлением. Важным достоинством является устойчивость хранимой информации, отсутствие необходимости в синхронизации или регенерации. Статический оперативный ЗУ имеет меньшее время доступа к чтению и записи, а также параллельную структуру адреса. Достоинства SRAM позволяют применять данные микросхемы в качестве кэш-памяти и в других случаях, когда необходимы чипы с небольшой плотностью, но высокой скоростью чтения/записи. Недостатками являются малая плотность и высокая стоимость.

Микросхемы ОЗУ от Макро Групп

Мы предлагаем большой выбор энергозависимых и энергонезависимых микросхем памяти. Линейка энергозависимых чипов представлена продукцией известной в мире компании Alliance Memory и включает в себя:

  • различные типы СОЗУ - Fast Asynchronous, Low Power Asynchronous, Synchronous.
  • синхронная динамическая память с произвольным доступом Synchronous DRAMs.
  • синхронная динамическая память с произвольным доступом DDR, DDR2 и DDR3.
  • Mobile DDR

Каждая предлагаемая нами микросхема соответствует мировым стандартам качества, полностью отвечает заявленным требованиям. Вы можете заказать и приобрести ОЗУ в любых удобных вам партиях, оформив заказ на нашем сайте, позвонив или посетив офис компании в Санкт-Петербурге, Москве, Чебоксарах, Ростове на Дону, Екатеринбурге и Новосибирске.


Производители
Обучающее видео
ОЗУ Alliance Memory
17.04.2017, 14:35
Новости
10.04.2017, 18:30
SDRAM на 512 Мбит в корпусе 54-pin TSOP II от Alliance Memory
Производитель Alliance Memory представляет две синхронные DRAM (SDRAM) микросхемы AS4C32M16SB-7TCN и AS4C32M16SB-7TIN на 512 Мбит в 54-выводном корпусе TSOP II. Микросхемы доступны в коммерческом  (от 0 до +70°C) и индустриальном  (от -40 до +85°C) температурных диапазонах.
07.03.2017, 16:45
Высокоскоростная mobile LPDDR3 SDRAM на 16 Гбит от Alliance Memory
Компания Alliance Memory начала производство высокоскоростной CMOS микросхем mobile DDR3 (LPDDR3) SDRAM плотностью 16 Гбит  с низким энергопотреблением, предназначенных для увеличения срока службы аккумулятора в портативных устройствах.
01.02.2017, 16:45
Высокоскоростная CMOS DDR2 SDRAM на 2 Гбит от Alliance Memory
Производитель Alliance Memory анонсировала выпуск микросхемы CMOS SDRAM с интерфейсом DDR2 плотностью 2 Гбит в корпусе 84-ball FBGA размерами 12,5×1,2 мм. Alliance Memory – один из немногих производителей, продолжающих развивать серию CMOS SDRAM микросхем с интерфейсом DDR2.