Энергонезависимая память (от англ. Non Volatile Random Access Memory, NVRAM) — это электронные устройства (микросхемы) для записи, считывания и хранения данных, которые имеют возможность хранить информацию без источника внешнего питания.
В линейке Макро Групп представлены следующие типы энергонезависимой памяти: Nor / Nand Flash, MRAM.
Flash память — элементарная ячейка хранения данных Flash которая состоит из транзистора с плавающим затвором. Специфика данного типа транзистора заключается в том, что он имеет возможность удерживать заряд. На основе данной ячейки созданы основные виды флэш-памяти NOR и NAND. Оба типа не являются конкурентами, так как у каждого из них имеются свои достоинства и недостатки.
Достоинства NOR
Достоинства NAND
Энергонезависимая память NOR / NAND Flash в линейке поставок Макро Групп представлена производителем Macronix www.macronix.com
Последовательная NOR память
Macronix предлагает последовательную Flash память в стандартном промышленном исполнение с плотностями от 512Kb до 512Mb, которая также обратно совместима с семействами высокопроизводительной памяти Serial Flash MXSMIO® и MXSMIO® Duplex (DTR)
MX25xxx06 — серия со стандартным последовательным интерфейсом
MX25xxx08 — семейство с уникальным ID
MX25xxx26 — память для устройств с защитой параметров
MX25xxx35/36/45 — Семейства MXSMIO® (Multi-I/O) & MXSMIO® Duplex (DTR)
Параллельная NOR память
MX29F, MX29LV и MX29SL — серия со стандартным режимом доступа
MX29GL и MX68GL — серия со страничным режимом доступа
MX29NS и MX29VS — серия с режимом доступа Burst Mode
MRAM память — состоит из ячеек MRAM Everspin, в каждую из которых входит один управляющий транзистор и ячейка памяти MTJ (магнитный туннельный эффект — MagneticTunnel Junction). Микросхемы энергонезависимой памяти MRAM выпускаются на базе 180- и 130-нм CMOS-процесса с 5-ю уровнями металлизации. В конструкцию входят и шины программирования, защищенные веществом с высокой проницаемостью для сосредоточения магнитного потока.
Энергонезависимая память MRAM в линейке поставок Макро Групп представлена производителем Everspin www.everspin.com
Достоинства MRAM
Микросхемы MRAM памяти с произвольным доступом от Everspin включают в себя магнитные элементы памяти с типовым технологическим процессом КМОП-логики (CMOS). Благодаря этому обеспечивается более высокая логическая емкость, малая цена, полная независимость от внешних источников питания, высокая скорость считывания и записи данных сравнимая с SRAM при неограниченном количестве циклов. Благодаря этому уникальному сочетанию характеристик MRAM памяти от Everspin превосходит все иные технологии оперативной и энергонезависимой памяти.
Сравнение микросхем памяти с параллельным интерфейсом и произвольной выборкой объемом 1 Мбит различных технологий изготовления приведено в таблице 1.
Характеристики | В8SRAM | FRАМ | mvSRAM | Toggle MRAM |
---|---|---|---|---|
Быстродействие, нс | 45 | 90 | 25 | 35 |
Активный ток (чтение/запись), мА | 16/16 | 12 | 55/55 | 30/65 |
Ток в режиме Standby | 4 мкА | 150 мкА | 5 мА | 7 мА |
Количество циклов перезаписи | Бесконечно | 1014 (негативное влияние со стороны архитектуры «деструктивного чтения») | Бесконечно (для SRAM, но ограничено значением 106 для EEPROM) | Бесконечно |
Время хранения информации, лет | 10 (зависит от батареи) | 10 | 20 | >20 |
Батарея резервного источника электропитания | Да | Нет | Нет | Нет |
Внешний конденсатор | Нет | Нет | Да | Нет |
Наименование | Производитель | Цена мелкий опт, USD. | Цена опт, USD. | Наличие, шт. |
---|---|---|---|---|
MR25H10CDF | Everspin | заказ |