Подложки из карбида кремния (SiC) используются как основа для производства различных компонентов или материалов. Примеры конечных продуктов:
- мощные ВЧ/СВЧ приборы
- силовые приборы (MOSFET, JFET, диоды Шоттки и др.)
- высокотемпературные интегральные схемы
- светоизлучающие приборы (светодиоды)
- графен
Доступные опции подложек
- политип: 4H, 6H
- проводимость: проводящие (N, P), полуизолирующие
- наличие примеси: без примеси, азот, ванадий
- диаметр пластин: 2", 3", 4", 6"
- ориентация рабочей поверхности: 0, 4°, 8°
- плотность дефектов: 0 (high purity), 1, 5, 10, 15 дефектов/см2
- толщина пластин: 350, 430, 500 мкм
Доступность необходимого типа подложек необходимо уточнить у менеджера направления.