Подложки и эпитаксия, карбид кремния

Подложки из карбида кремния (SiC) используются как основа для производства различных компонентов или материалов. Примеры конечных продуктов:

• мощные ВЧ/СВЧ приборы
• силовые приборы (MOSFET, JFET, диоды Шоттки и др.)
• высокотемпературные интегральные схемы
• светоизлучающие приборы (светодиоды)
• графен

Доступные опции подложек

• политип: 4H, 6H
• проводимость: проводящие (N, P), полуизолирующие
• наличие примеси: без примеси, азот, ванадий
• диаметр пластин: 2", 3", 4", 6"
• ориентация рабочей поверхности: 0, 4°, 8°
• плотность дефектов: 0 (high purity), 1, 5, 10, 15 дефектов/см²
• толщина пластин: 350, 430, 500 мкм

Доступность необходимого типа подложек необходимо уточнить у менеджера направления.