Подложки и эпитаксия, карбид кремния

Подложки из карбида кремния (SiC) используются как основа для производства различных компонентов или материалов. Примеры конечных продуктов:

  • мощные ВЧ/СВЧ приборы
  • силовые приборы (MOSFET, JFET, диоды Шоттки и др.)
  • высокотемпературные интегральные схемы
  • светоизлучающие приборы (светодиоды)
  • графен

Доступные опции подложек

  • политип: 4H, 6H
  • проводимость: проводящие (N, P), полуизолирующие
  • наличие примеси: без примеси, азот, ванадий
  • диаметр пластин: 2", 3", 4", 6"
  • ориентация рабочей поверхности: 0, 4°, 8°
  • плотность дефектов: 0 (high purity), 1, 5, 10, 15 дефектов/см2
  • толщина пластин: 350, 430, 500 мкм

Доступность необходимого типа подложек необходимо уточнить у менеджера направления.