MR0DL08B

Описание
Технические характеристики
Документация

MR0DL08B это низковольтная 1,048,576-бит магниторезистивная MRAM с организацией 131,072 слов по 8 бит. Она поддерживает напряжения питания 2.7 В и напряжение портов ввода/вывода в диапазоне +1.65 ... +3.6 В. MR0DL08BMA45 обладает совместимостью с SRAM цикл чтения/записи 45 нс и неограниченное кол-во циклов перезаписи. Время хранения данных более 20 лет. Данные автоматически сохраняются при потере питания, встроенная защита запрещает запись при напряжении вне спецификации. MR0DL08BMA45 это прекрасное решение для приложений требующих надежной и быстрой работы, сохранения критических данных.

Емкость: 1Mb

Интерфейс: параллельный 

Организация: х8

Быстродействие: 45нs

Vdd: 2.7 ... 3.3В

Vddq: 1.8В

подробно о партномерах смотрите в вкладке "технические характеристики".

Парт-номер Емкость Организация Корпус Напряжение Температурный диапозон
MR0DL08BMA45 1Mb 128Kx8 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0 ... +70C
MR0D08BMA45R 1Mb 128Kx8

48-BGA, катушка

2.7 to 3.6 VDD, 1.8IO 0 ... +70C
datasheet_MR0DL08B
pdf, 948.33 КБ
Производители