MR256DL08B

Описание
Технические характеристики
Документация

MR256DL08BMA45 это низковольтная 262,144-бит магниторезистивная MRAM с организацией 32,768 слов по 8 бит. Она поддерживает напряжения питания 2.7 В и напряжение портов ввода/вывода в диапазоне +1.65 ... +3.6 В. MR256DL08BMA45 обладает совместимостью с SRAM цикл чтения/записи 45 нс и неограниченное кол-во циклов перезаписи. Время хранения данных более 20 лет. Данные автоматически сохраняются при потере питания, встроенная защита запрещает запись при напряжении вне спецификации. MR256DL08BMA45 это прекрасное решение для приложений требующих надежной и быстрой работы, сохранения критических данных.

Емкость: 256Kb

Интерфейс: параллельный 

Организация: х8

Быстродействие: 45нс

Vdd: 2.7 ... 3.6В

Vddq: 1.8В

подробную информацию о партномерах смотрите в вкладке "технические характеристики".

Парт-номер Емкость Организация Корпус Напряжение Температурный диапозон
MR256DL08BMA45 256Kb 32Kx8 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0 ... +70C

MR256DL08BMA45R

256Kb 32Kx8

48-BGA, катушка

2.7 to 3.6 VDD, 1.8IO 0 ... +70C
datasheet_MR256DL08B
pdf, 921.31 КБ
Производители