| Каталог | ВЧ/СВЧ компоненты | Усилители |

Усилители мощности

Согласованные и несогласованные высокомощные транзисторы, выполненные по технологии нитрид галлия на карбиде кремния (GaN-on-SiC) используются как в гражданских, так и военных применениях, для коммуникационного оборудования, беспроводной инфраструктуры, а так же в таких направлениях, как медицинские и научные приборы.

Усилительные модули NEDITEK

Партномер

Диапазон частот

（ГГц）

 Psat (Вт) Усиление мощности (дБ) КПД（%） Размер чипа（мм） Тип корпуса
NDNM02001 0.8-2 10 28 35 13*21*5.0 JF04F002
NDNM02003 2.7-3.5  20 25 40 13*21*5.0 JF04F002
NDNM02004 2.0-6.0 20 21 30 18.03*8.7*2.5 JF06F007
NDNM02005 5.0-6.0 40 23 40 18.03*8.7*2.5 JF06F007
NDNM02006 5.0-6.0 60 20 40 18.03*8.7*2.5 JF06F007
NDNM02007 9.0-10.0 30 22 35 18.03*8.7*2.5 JF06F007
NDNM02008 8-12 10 20 30 18.03*8.7*2.5 JF06F007
NDNM02009 8-12 25 21 35 18.03*8.7*2.5 JF06F007
NDNM02010 15-17 15 21 33 18.03*8.7*2.5 JF06F007

Производители
Новости
28.07.2016, 12:15
GaN усилители мощности с передовыми характеристиками для спец. применений от Qorvo
Компания Qorvo анонсировала три GaN усилителя мощности с передовыми показателями уровня мощности и усиления, и высоким КПД по добавленной мощности (PAE). Они предназначены для применения в военных радарах, системах связи и средствах электронной борьбы.