Лавинные фотодиоды

Описание
Технические характеристики
Лавинные фотодиоды
Представляют собой полупроводниковую гетероструктуру с разделенными областями поглощения и умножения на основе соединений InP/InGaAs. Оптимизированные параметры гетероструктуры, а также встроенный термоэлектрический охладитель обеспечивают низкое значение шум-фактора и высокую пропускную способность. 

Применение PIN фотодиодов:

  • Системы детектирования однофотонного излучения 
  • LIDAR системы
  • Оптическая когерентная томография
  • Тестирование оптоволоконных компонентов (OTDR)
  • Время разрешающая спектроскопия
  • Оптоволоконные системы телекоммуникаций
  • Скрытое ИК-зондирование

Модель

APD200-17-T1

Спектральный диапазон, нм

950 – 1650

Размер активной области, мкм

200

Темновой ток @ M=10, нА

2

Рабочее напряжение @ M=10, В

30

Напряжения пробоя, В

33

Емкость @ M=10, f=1 МГц, пФ

2.5

Фоточувствительность, А/Вт

 

@ M=10, λ=1.55 мкм

9

@ M=1, λ=1.55 мкм

0.9

Усиление (M) @ (M) @ λ=1.55 мкм

20

3 dB Полоса пропускания @ M=10, λ=1.55 мкм, 50 Ом, ГГц

1

SNC @ M=10, Δf=1 ¶A/ кГц, 

0.5

Максимальный диапазон охлаждения (ΔTmax), 0C

40

Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных