Быстродействующие PIN фотодиоды с термоэлектрическим охлаждением

Описание
Технические характеристики
Быстродействующие PIN фотодиоды с термоэлектрическим охлаждением
Представляют собой полупроводниковые p-i-n структуры на основе InGaAs с подведенной системой электрических контактов и встроенным элементом Пельтье. Оптимизированная конструкция фотодиода позволяет расширить полосу пропускания до 40 ГГц!
Возможны исполнения как в компактном TO корпусе, так и в любом другом корпусе по требованию заказчика. 
 
Применение PIN фотодиодов:
  • Системы телекоммуникации
  • Радиофотоника (передача СВЧ сигнала по волокну)
  • Тестирование оптоволоконных компонентов (OTDR)
  • Измерение оптической мощности излучения
  • Спектральный анализ
  • LIDAR системы
  • Дистанционные датчики температуры
  • Мини SWIR камеры
  • Скрытое ИК-зондирование

Модель

N1000-17-T1

Спектральный диапазон, нм

900 - 1700

Размер активной области, мкм

950

Темновой ток @ - 5 В, нА

0.5

Шунтирующее сопротивление @ - 10 мВ, ГОм

2

Емкость @ 1 МГц, пФ

 

@ 0 В

120

@ -5 В

60

3 dB Полоса пропускания @ -5 В, 50 Ом, ГГц

40

Фоточувствительность @ 0 В, А/Вт

 

@ 0.65 мкм

-

@ 0.85 мкм

0.15

@ 1.30 мкм

0.90

@ 1.55 мкм

0.95

Мощность насыщения @ 1.55 мкм, 0 В, мВт

7.0

NEP @ 1.55 мкм, 0 В, 1 кГц,

2.5

Максимальный диапазон охлаждения (ΔTmax), 0C

40

Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных